PIC16F1779上的闪存程序存储器

大家好，我需要你们再次帮助我解决PIC16F1779的问题。我试着给闪存写。当我用一个词来做它的时候，我可以得到我的结果，但是当我在多个单词上做它就不起作用了。在我的代码下面：ValueMaxJ-MeM（无符号int行，无符号char COL）{//创建PMADR，从行和列开始，我要写Hyth-AdDr=行& gt；& 3；未签名的int a；un签署。EDINT B；A=行和0x07；B＝A & lt；lt；5；LoWyAdDr＝B.COL；//HythAdDR和LoWiAdDR是在其他例程中使用的全局变量}无符号int Read MeM（无符号int行，无符号CHOL COL）{MaxaMeMm（行，COL）；PMADRH＝HuiX-AdDR；PMADRL＝LoWiAdDr；CFGS＝0；RD＝1；ASM（“NOP”）；ASM（“NOP”）；返回（（PMDAth＆lt；lt；8）πDATDL）；} Wrut-WrrErth-MEM（无符号int行，无符号char COL，未签名int数据）{无符号char PrGE，i；PrGe= GIE；GIE＝0；未签名int PrimeMe[ 32 ]；/ /将以前的数据加载到RAM内存中（i＝0；i；lt；32；i++）{PrimyMe= Read Smim（行，i）；//行是固定的获取所有列} Prmi-Me[Cal] =数据；/ /将数据写入正确位置EraseEmim（行，0）；/ /在写之前取消整个行。考虑到它只是按行取消，不需要指定列//写序列来仅锁存make_mem（行，0）；//创建具有原始和列0CFGS=0的PMADDR；PMADRL=low_addr；//在make_mem例程中创建PMADRH=high_addr；FREE=0；//选择写操作LWLO=1；//加载写锁存器只有WREN=1;//允许写入(i=0;i<32;i++){//cycle来填充锁存器PMDATL=pre_mem&0xFF;//write最低有效位数据以锁存PMDATH=pre_mem>8;//write最高有效位数据以锁存如果(i<31)//unlock序列仅在写入最后一个wor之前d{unlock_mem()；}PMADRL++}LWLO=0; }PMADRL+}LWLO=0; //写锁存到flashunlunlock_mem()；flashunlunlock_mem()；asm("NOP")；asm("NOP")；asm("NOP")；asm("NOP")；asm("NOP")；asm("NOP")；asm("NOP")；asm("NOP")；asm("NOP")；asm("NOP")；asm("NOP")；asm("asm("NOP")；asm("NOP")；asm("NOP")；asm("asm("NOP")；asm（无符号整行，无符号char col）{无符号char PREGE；无符号char row_low，row_high，column；PREGE=GIE；GIE=0；make_mem(row，col)；CFGS=0；PMADRL=(low_addr)；//最低有效位地址PMADRH=(high_addr)；//最高有效位地址FREE=1；WREN=1；//allow write unlock_mem(“NOP”)；asm(“NOP”)；WREN= 0；GIE＝PREGE；}我已经创建了一些例程来处理行和列中的写/读操作。我的目标是能够在特定的行（0-3FF）和特定的列（0-1F）中写入/读取，如数据表所示，我首先将行的内容复制到RAM内存中，然后将单个数据写入整个行。n写多列时的写序列……但我找不到我的错误。谢谢您的帮助。