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如果没有实际尝试,我原本以为读闪存可以让你访问。
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谢谢你的小费!值得一试的是,稍后我会看一下。我检查了一个“更增强”:)部分,比如16F18854,它们使用EEprom的NVM方法:但是,这个方法也可以完全访问14位程序内存。
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假设标准或增强型中档系列,您无法通过RETLW获得高6位,或者对于增强型设备,通过FSRxH高位集的INDF访问获得高6位。然而,任何具有自写FLASH的设备都可以读取自己的程序存储器,从位置rea返回完整的14位。d.设置内存访问控制寄存器和地址,然后设置读取位,对于大多数设备来说,除了最新增强的设备,在FLASH控制器读取内存时,用两个NOP填充代码,因为CPU不能获取指令,但是程序计数器仍然递增。也有一些标准的中档设备,具有一个只读闪存接口,以同样的方式工作。在其他较老的中档设备上,您是S.O.L。甚至有MPASM支持将7位ASCII字符串两个字符打包到一个单词上——参见DA指令。注意:具有用于数据存储的高持久性FLASH区域的设备通常没有用于前6位的高持久性存储单元。在HEF地区的单词。在低字节耐力超过之前,很容易磨损高比特数!
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是的,你确认我上面写的是有意义的!要么通过“旧”的方法要么NVM新的一个。谢谢伊恩。不,低级别的部分将不被使用。只是尝试一个旧的想法…
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