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如果没有实际尝试，我原本以为读闪存可以让你访问。
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谢谢你的小费！值得一试的是，稍后我会看一下。我检查了一个“更增强”：）部分，比如16F18854，它们使用EEprom的NVM方法：但是，这个方法也可以完全访问14位程序内存。
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假设标准或增强型中档系列，您无法通过RETLW获得高6位，或者对于增强型设备，通过FSRxH高位集的INDF访问获得高6位。然而，任何具有自写FLASH的设备都可以读取自己的程序存储器，从位置rea返回完整的14位。d.设置内存访问控制寄存器和地址，然后设置读取位，对于大多数设备来说，除了最新增强的设备，在FLASH控制器读取内存时，用两个NOP填充代码，因为CPU不能获取指令，但是程序计数器仍然递增。也有一些标准的中档设备，具有一个只读闪存接口，以同样的方式工作。在其他较老的中档设备上，您是S.O.L。甚至有MPASM支持将7位ASCII字符串两个字符打包到一个单词上——参见DA指令。注意：具有用于数据存储的高持久性FLASH区域的设备通常没有用于前6位的高持久性存储单元。在HEF地区的单词。在低字节耐力超过之前，很容易磨损高比特数！
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是的，你确认我上面写的是有意义的！要么通过“旧”的方法要么NVM新的一个。谢谢伊恩。不，低级别的部分将不被使用。只是尝试一个旧的想法…
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