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[问答] 晶圆级封装的方法是什么?
328 华强芯城 晶圆
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晶圆级封装技术源自于倒装芯片。晶圆级封装的开发主要是由集成器件制造厂家(IBM)率先启动。1964年,美国IBM公司在其M360计算器中最先采用了FCOB焊料凸点倒装芯片器件。
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2020-3-6 09:02:23   评论 分享淘帖 邀请回答
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  • 晶圆级封装的背景
  • 晶圆级封装的方法
  • 晶圆级封装的应用领域
  • 晶圆级封装的发展趋势



  晶圆级封装的背景




  •   晶圆级封装技术源自于倒装芯片。晶圆级封装的开发主要是由集成器件制造厂家(IBM)率先启动。1964年,美国IBM公司在其M360计算器中最先采用了FCOB焊料凸点倒装芯片器件。1969年,美国Delco公司在汽车中使用了焊料凸点器件。二十世纪70年代,NEC、日立等日本公司开始在一些计算器和超级计算器中采用FCOB器件。到了二十世纪90年代,世界上成立了诸如Kulicke and Soffa’s Flip Chip Division、Unitive、Fujitsu Tohoku Electronics、IC Interconnect等众多晶圆凸点的制造公司,这些公司拥有的基础技术是电镀工艺与焊膏工艺。这些公司利用凸点技术和薄膜再分布技术开发了晶圆级封装技术。FCD公司和富士通公司的超级CSP(Ultra  CSP与Supper CSP)是首批进入市场的晶圆级封装产品。
      1999年,晶圆凸点的制造公司开始给主要的封装配套厂家发放技术许可证。这样,倒装芯片和晶圆级封装也就逐渐在世界各地推广开来。例如,台湾的ASE公司和Siliconware公司以及韩国的Amkor公司就是按照FCD公司的技术授权来制造超级CSP(Ultra CSP)的。



  
2020-3-6 13:47:17 评论

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晶圆级封装的方法




  •   提供一晶圆,晶圆具有一正面和一背面。接着,在晶圆的正面形成若干个凹槽。再在每个凹槽表面形成一绝缘层。然后,在每个凹槽的绝缘层上及晶圆的部分正面处形成一导电层。再在每个凹槽的导电层上形成一焊料层。之后,在晶圆的正面上形成一个第一基板。接着,在晶圆的背面处形成若干个孔洞,而孔洞的位置与凹槽的位置相对应,且每一孔洞裸露出焊料层。然后,在晶圆的背面处形成一第二基板,且第二基板具有若干个导电柱,导电柱对应地置入于晶圆的孔洞中以与焊料层连接。之后,在第二基板处形成若干个导电结构。


  晶圆级封装的应用领域




  •   整体而言,WLP的主要应用范围为Analog IC(累比IC)、PA/RF(手机放大器与前端模块)与CIS(CMOS Image Sensor)等各式半导体产品,其需求主要来自于可携式产品(iPod, iPhone)对轻薄短小的特性需求,而部分NOR Flash/SRAM也采用WLP封装。此外,基于电气性能考虑,DDR III考虑采用WLP或FC封装,惟目前JEDEC仍未制定最终规格(注:至目前为止, Hynix, Samsung与 Elpida已发表DDR III产品仍采FBGA封装),至于SiP应用则属于长期发展目标。此外,采用塑料封装型态(如PBGA)因其molding compound 会对MEMS组件的可动部份与光学传感器(optical sensors)造成损害,因此MEMS组件也多采用WLP封装。而随着Nintendo Wii与APPLE iPhone与iPod Touch等新兴消费电子产品采用加速传感器与陀螺仪等MEMS组件的加温,成为WLP封装的成长动能来源。


  晶圆级封装的发展趋势




  •   使用无铅和细间距凸点的晶圆级封装(WLP)在全球WLP的市场需求中所占份额还较小。尽管根据国际半导体技术蓝图(ITRS)预测:到2009年,凸点间的间距(相邻凸点中心到中心的距离)为100mm。但对于量产的凸点制造商来说,目前市场对间距


2020-3-6 13:47:19 评论

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