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最近在学习开关电源,有一些疑问希望有大神来给小弟解答一下。先交代一下情况,300-460VAC输入,24V,24V,12V,5V四路输出,100KHZ频率,48W输出功率。
1.MOSFET我选择的1000V,2.2A(耐压,漏极电流)规格,不知是否可行? 2.当我按1000V耐压来计算时,取20%裕量,那么反激电压是150V,那么此时的最大占空比算出来只有0.19,效率极低; 但如果我先取0.45的理想占空比进行反向计算的话,反激电压将达到惊人的530V,此时的匝数比将极大,漏感也大,吸收电路消耗功率也大,mosfet耐压也需要提升到1500V左右。请问此时最好的选择是怎样的,折中选择的话是否有较好的方案。 望各位大佬指点! |
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3个回答
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是否有实际电路结合一起分析呢
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楼主晒图再说
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在MOS 的耐压1200V的情况下考虑反射电压,折中吧,提高效率就用QR芯片
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