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1 条评论
16个回答
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后面2000UF电容容量改小。或者MOS管Q5的源极S与+60V之间串联0.22R电阻，试一试。
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后面2000uF要吃电。Q1之S极再串联一电阻或NTC或限流回路。或者R32再并联电容，让后面电解慢慢充电。
或者以上两种方式一同采用更保险，或者只在后面电解上面串联一电阻來限流。 |
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谢谢指点，串联一个电阻或NTC也想过，只是电路板已经定型了才发现的问题，有点麻烦。只能下一版本改了。R32并联电容也做过，只是软件调不好，留到以后软件调好了才能用。也想过电容直接改成小的算了，或者加电感抑制。真是难啊
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短路了吧 加大功率小阻值电阻
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2020-1-2 14:48:18
评论
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首先，直接接2000UF电容充电到60V，哪怕恒流100A，充电时间长达1200uS=1.2mS
再看MOS管工作功率极限区间，100uS级别，可扛100V-10A 100A-10V级别的线性区域。也就是开关期间最大功耗1000W。 所以，PWM启动，管子非炸不可。 用的管子50A P沟道的的 栅极电容至少4000PF。 导通充电电阻=2K，不算另外的栅极电荷，你管子关闭沿时间长达=20uS。按照1KW最大功耗计算，你必须限流到30A才能让管子工作在安全区间。 另外关断斜坡达100uS，不知道你PWM频率是多少？ 对于输出接电容的应用，这样简单的设计，明显不是一般的不合理。不要说这个管子，再大10倍都够呛。 输出必须增加合适的电感，以限制PWM对电容的充电电流，并且增加占空比连续变化的启动过程，以实现安全的恒流。同时，因为需要限流电感，则频率不能太低，低了则电感成本大大增加，因此，必须修改P MOS管驱动线路，提升MOS管开关沿速度。 至于驱动的管子8050是承受不了60V的，我这里暂且当你不是用的这个管子，是能够承受60V耐压的管子。 |
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首先要知晓，MOS管的耐压，耐流，G及开通电压，以及功耗。
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虽然没看懂这是要干啥，但是几乎就是一个buck，只是没有电感和二极管，这样的话实际上pwm是没有作用的，不能调节输出电压。如果设计没用问题，那必在mos上串联一个电阻，保证充电电流不会超过mos额定值，另外，R31没有必要
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一、问题
1：MOS没有充分夹断；PMOS特性之一：G极电压高于S极电压，才能充分断开；否则断开不充分，存在比较大的内阻，电流通过产生巨大热量，损坏MOS管；——有些管子不需要这个要求，G极电压和S极电压相同也能充分夹断，请查看对应PDF文档。 2：没有充分导通：三极管实现高低电平的切换，应直接接到G极；图中串了个R33，使得电平下降速度受限，使得栅极一直无法处于充分导通，而处于线序状态，进一步加剧发热损坏管子； 二、解决方法建议： 1、如果条件允许，可以想办法将G极电压抬高到高于60V；同时，在Q5S端串个0.22R-2R左右的电阻稍作限流（需注意允许通过电流对应的封装）； 2、Q6直接接到MOS的G极；去除R31和R33。 三、其他建议： 有专用的MOS驱动IC，工作起来更稳定，具体型号可以找下 |
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看下管子的VGS多大
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应该是Q5的Vgs过高导致烧管子！DW2存在的意义就是防止Q5的Vgs不超过15V，箝位。然而当Q6导通时（理想状态下），R32和R33的分压值对地为5V，Vgs=60-5=55V。这么高的电压可能Dw2还不启动Q5已经烧掉了。
所以我认为现在要做的：1.调整R32和R33的分压值，确保不超过Q5规格书标明的Vgs。2.看看Q5完全导通时的内阻值Rds，内阻太大，发热太快会有烧管子。3.上面网友提到的加小电阻限流也需要考虑。 |
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学习学习，谢谢。。。
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看评论才知道，模拟电路设计也要计算时间，学习了
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60V电压经R32的10K到达MOS管，每有经过分压，只是限流了，所以依然是60V。假如Q6在60V通电之前就饱和导通的话，GS电压就是【60÷（2K+10K）】×2k=10v。这时候是不会烧的。
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