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大家好，我有一个电路控制螺线管通过一个高侧P场效应晶体管。它在调试模式下工作正常，但是，当我通过手动覆盖的外部按钮给螺线管供电时，调试就完全退出了。当p场效应管被关断，12v从线标螺线管进入时，是否有脉冲从栅极、pn2222的底部反向进入pic16？我不仅在P FET中有体二极管，而且还有一个独立的反激二极管来防止这种情况。有什么想法吗？谢谢您！
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19个回答
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停止信号在这些设备上被边缘触发，因此它可能是耦合到PGC线路并导致错误停止的噪声。
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如果可能的话，二极管应该靠近螺线管。
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另外，我认为反激二极管连接错了。如果螺线管中的电流中断，引脚螺线管的电压不是变负了吗？用GND阳极和PIN螺线管阴极？
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你说的开关在哪里？它是否在D1/F1/R5附近短？请更新一下你的原理图，这样我们才能理解这个开关在电路中的位置。我首先要做的是给MCLR加一个范围，然后给MCU加一个电源插脚。你会惊讶于电磁设备会引起的毛病。假设开关短路上述组件，您只是简单地将死短路跨越电源，直到螺线管线圈的磁场建立。不止一次，我见过这样的把戏，一个MCU重新设置自己。R5的1K电阻可能正在降低边缘速度，刚好足以防止从MCU引脚操作螺线管时的影响。
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为了澄清，它看起来像螺线管。它直接接地，所以放一个反激二极管不是可行的选择。12V开关是手动超越。MCLR引脚没有连接到任何东西，但拾取引脚。
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回程二极管应该正好在螺线管上。如果你的电路不允许这样做，也不会因为它而烧掉，你就需要把CPU与它隔离开来。撤消MCLR是强制性的。外部优于内部。
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他的电路当然允许一个反向偏置二极管跨越螺线管，他应该立即添加一个。只要看一下当线圈的场崩塌并驱动其能量回到电路中时从线圈上脱落的尖峰就足以让任何人确信这样的二极管总是需要跨越诸如此类的电磁负载。快速响应时间。BAT42二极管是好的，但不是很大（见规格表在这里）。但是它在错误的地方，把它放在螺线管上，用它的阳极接地。它并没有真正帮助电路在现在的位置，因为电压尖峰的电磁线圈将必须达到接近13V（！！！！）无论如何，要开始指挥。将螺线管分流将抑制其源极的尖峰到二极管的正向电压（<1V对于BAT42，低至300mV对于像样的肖特基二极管）。遗憾的是，他正在使用高侧开关；他的电路将实质上更简单，具有更传统的低侧阿兰。盖特。然而，高边开关本身并没有什么问题，而且高边开关也没有阻止使用背偏二极管。二极管并不关心它的一个端子是否“直接接地”，它只关心它的两个端子之间的电压电位。希望这有助于……
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只是要补充一点，二极管的位置是在OP的电路，这是完全多余的，因为体二极管的mosfet是更高的规格比BAT42！
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伙计们，这里的问题是螺线管距离这个电路大约2米。这是一个螺线管在传输，它直接进入套管，所以我不能添加螺线管周围的反激二极管。MCU的接地与它分开。
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理想情况下，螺线管附近应该有一个二极管，但至少应该有一个在PIC的PCB上，连接到PIC的接地。
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当你通过晶体管和mosfet接通和关断螺线管时，你是在缓慢地接通和关闭，这与使用按钮开关的快速接通和关闭相比是缓慢的。此外，当PIC命令螺线管接通或断开时，就会发生这种情况：它接通或断开，危险。OD。当使用按钮开关时，由于开关弹跳，螺线管多次开启和关闭，可能数百次。因此，除了二极管处于错误的位置之外，按钮开关由于快速上升和下降时间和多次交流而导致大量的EMI。一按开关就要交学费。还有，别忘了PIC和螺线管之间2米的距离，它们构成了一个奇妙的天线。这是一个奇迹，FCC不是在OP. LoL之后：
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嗯，单片机运行一个过滤的5VLDO，它的接地与螺线管使用的接地是分开的，我不明白为什么螺线管会导致单片机复位。把12V线路和5V线路分开的另一个步骤是使用光耦合器，但我不认为这是必要的。我想在MCU和R1之间加一个肖特基二极管。也把R9变成RC滤波器。
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你在示意图上使用过两次相同的接地符号。现在你说它们是不同的接地。解决你的问题的一个很好的开始是绘制包括电源在内的整个系统的完整和准确的示意图，并正确地记录接地。
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开关的关闭可能不会产生很多噪音，因为螺线管的电感会限制电流，并且在触点停止跳动并形成牢固连接之前，不会有太多的储存能量。大部分噪声发生在开关被释放时，而存储在螺线管中的能量导致线圈上的电压下降，从而增加了MOSFET两端的电压。12V直接到螺线管。我认为这是一个错误，电阻器可能只有几欧姆，而螺线管的数量可能是10-100欧姆。如果你不能在螺线管上放一个整流（反激）二极管，你应该在MOSFET上放一个TVS齐纳二极管来吸收线圈能量，或者说放一个R-C snu。BBER。还应该有一个低阻抗电容器绕过12V电源和5V电源到PIC。也许还有一个小电感器可以阻挡任何尖峰。最好用光隔离器来驱动螺线管，或者用光继电器。
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保罗，如果我理解正确的话，你的建议是用电视机取代D1，把R5减小到一个小得多的欧姆。R5最初并没有在计划中，我增加了它来尝试解决这个问题。我想用光隔离器代替Q2也可以解决问题。
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这里是DIP-6固态MOSFET光继电器，适合370mA和250VDC，价格大约为2:http://www.mouser.com/ProductDetail/Vishay-Semiconductors/VOR1121A6/？qs=sGAEpiMZMvNy%2fd%2fTAiTWSemF9K7%252brBfCQ9BHw2o%2fX5hE5DE***sWww%3d%3dOr60V 1A，价格约4:http://www.mouser.com/ProductDetail/IXYS-IC-Cir.s/LCA710STR/？qs=sGAEpiMZMvNy%2fd%2fTAiTWbxGRL644Mmu7JlwC6foOj4%3d您仍然希望跨MOSFET添加TVS齐纳和/或缓冲。另一种耗散所存储的能量的方法是减慢MOSFET的关断，并将其作为电阻器在线性区域中使用。也许只是一个跨R9电容器。另一种可能性是电阻器从栅极到漏极，使得电感性反冲的负向电压在接近器件的最大电压时将开启MOSFET。有一些使用类似原理的“自保护”MOSFET，但我想它们都是NMOS.http://www.mouser.com/ds/2/115/ZXMS6004FF-93270.pdf http://www.mouser.com/ds/.308/NCV8403-D-844735.pdf。
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谢谢你的建议，保罗。螺线管的额定电压是0.95A。我想我喜欢在继电器周围用TVS代替所有东西的想法。这一个额定电压是2A和60V.http://www.mouser.com/ds/2/427/vo14642a-279692.pdf我从来没有用过。总的开/关周期约为1.5 kHz。因为开机时间比断开时间长，我还能使用PWM信号吗？控制闩锁和保持电流是很重要的。
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世界跆拳道联盟？？？？你的文档越好，我们就越能帮助你。你是说“分开”还是在物理上？“像电一样分开”？在不同电压电位下分离？我们都知道我们真的不知道你们的电路是怎么回事。
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前面的文章没有必要太苛刻，但是没有，您没有清楚地解释您正在做什么。正如前面所要求的，一个清晰的示意图显示所有的接地连接是真正解决这个问题的最小值。即使增加一个光耦合器，如果接地错误，也不会解决问题。
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