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把 Q5 更换为NMOS
1、假设开电 时 Q5 漏极电压12v，栅极对地表现为高电平VGS >阀值；Q5导通； 2、Q3 栅极电平升高，Q3导通；Q1 Q4 导通；同时Q3漏极电平转换为低电平； 3、Q3漏极电平转换为低电平，导致Q5 栅极电平降低，Q5关断； 4、Q5 关断，Q3的栅极电平降低，Q3关断； 5、Q3关断，漏极电平升高，Q1 Q4 关断； 6、Q3漏极电平升高，会导致电路进入第一步，从而不断的循环 另外 R1 R4 R9 可以决定R7测试点处 高低电平的占空比
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2019-9-23 15:38:39
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