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DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写,即双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的,能够在时钟的上升沿和下降沿各传输一次数据,可以在与SDRAM相同的总线时钟频率下达到更高的数据传输率。虽然DDR2和DDR一样,都采用相同采样方式进行数据传输,但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说,在同样100MHz的工作频率下,DDR的实际频率为200MHz,而DDR2则可以达到400MHz。DDR2还引入了三项新的技术,它们是OCD、ODT和Post CAS。
我们的设计(图1)采用Altera公司Cyclone III系列型号为EP3C16F484C6N的FPGA作为控制器,以Micron公司生产的型号为MT47H16M16BG-5E(16M×16bit)的DDR2 SDRAM为存储器。用一个IP核完成对4片DDR2的控制(带宽为64bit),且DDR2的最高速率可达200MHz,以此完成对数据的高速大容量存储。由于采用一个DDR2的IP核进行控制,所以4片DDR2以地址和控制线共用、数据线独立的方式进行管脚连接。 图1 接口总框图 EP3C16只有TOP和BOTTOM边的BANK支持200MHz DDR2接口(因为DDR2管脚的特殊要求,DQS、DQ、DM管脚在FPGA上都需要专用管脚),且最高速率可达200MHz。 表1中Column I/O是指Top和Bottom I/O,Row I/O是指Right和Left I/O。Hybrid mode是指由Column和Row I/O混合。 从表1中可以看出,Cyclone III只有6系列的FPGA在Top和Bottom BANK才支持200MHz频率的DDR2。为了满足设计要求,我们将4片DDR2分别挂在FPGA的Top和Bottom的4个BANK。 从表2中可以看到,EP3C16 F484封装系列的FPGA每个边所支持的DQS和DQ组。因为在DDR中若干个DQ是由一个DQS进行采样的,所以FPGA以若干个DQ和一个DQS为最小单位进行分组。 表1 FPGA BANK管脚速度 表2 FPGA BANK DQ 如Number of ×8 Groups,其中×8就是指8个DQ,一个DQS即和8个DQ组成一个Group(即这8个DQ由这一个DQS进行采样)。FPGA分别有Left、Right、Top和Bottom四边,其表示FPGA的每边都支持4个DQS和DQ组,而每一边有两个Bank,即每个Bank都支持两个×8架构的DQS和DQ组。图2展示了FPGA的DQS和DQ组的分配。 由于设计中采用Top和Bottom边的Bank,这里以第3个Bank的DQS为例进行说明。在图2可以看到,FPGA的Bank3有三个DQS,分别为DQS1B、DQS3B和DQS5B。由于每组DQ都要和各自对应的DQS配对,所以理论上DQS1B应该和DQ1B为一组,DQS3B应该和DQ3B为一组,DQS5B应该和DQ5B为一组。 图2 FPGA BANK DQS/DQ 表3中展示了FPGA管脚中的DQ分配。可以看到,对于×8架构的DDR2,Bank3只有DQ3B和DQ5B,且DQ3B和DQ5B各自都有9个,DQS1B其实没有属于自己的DQ。其实在Bank4中还有1个DQS2B和8个DQ2B,1个DQS4B和8个DQ4B。 而对于×16架构的DDR2,则有18个DQ3B和1个DQ5B,DQS1B没有属于自己的DQ,其实在Bank4中还有17个DQ5B,这样在Bank3和Bank4中一共就有18个DQ5B。 |
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