EDS指针错误代码

你的代码中有没有定义？

我在过去有一些问题，其他人也加入了这个线程：HTTP://www. McCHIP.COM/FUMMS/M81682.ASPX

_u HAS_EDS_是由编译器定义的，如果目标cpu具有EDS，即Ram>30Keds指针在所有目标处理器上都是可用的——它操纵PSVPAG寄存器。在非DSRPAG机器上，可以使用EDS指针读取EEPROM，但不使用闪存的上字节。

指针必须是线性的。没有其他选择让他们正确工作跨越页面边界。例如，指向DSRPAG＝202／偏移＝0x8000的指针必须是0x1018000。每次使用时，它们都必须被转换成（DSRPAG+Offset）。EDS内存设计不当会导致相当冗长的转换：DSRPAG=（Addr<0x8000）？1：ADDR & gt；15；偏移＝（ADDR & lt；0x8000）？Addr：（Addr&0x7fff）|0x8000;在XC16中实现指针的任何人可能都想避免这种情况，并以某种方式对其进行优化，但是看起来他们确实不能够干净地完成它。

在另一个线程()中的讨论可能更加相关。捏造是正确的。但是，当使用“&”获取直接地址时，那些DSRPAG设置已经正确了，好像操作已经发生了。例如，这意味着您不能在_u eds_指针和uint32_t之间来回转换，因为它会继续执行一些移位，并对值执行操作。当您使用这些指针访问数据时，编译器不会对地址做任何特殊的操作，这意味着您可以在UTIN 32×T之间来回转换（甚至操作它，以使编译器在没有直接DSRPAG操作的情况下访问MSB）。由于编译器在何时以及如何修改原始32位地址以便处理页方案（即，将位15移到位16和设置位15）方面不完全一致，所以会发生许多混乱或意外的行为，从而造成分裂。将新的32位值转换为DSRPAG和EA可以按预期工作。直接设置函数

所以要点是，EDS变量实际上应该无缝地支持，而不需要在语法上施展符咒。它应该是神秘的编码器。因为它们不能创建一个“优化”的EDS支持实现，即使代码大小增加，也要做蛮力。目前，事情不正常工作…所以它本质上是无用的。最好至少让它工作…然后对其进行优化。假设编译器设计者足够胜任。

嗯，这个线程表明曾经有一个问题，它已经解决了，所以…

你知道什么版本解决了这个问题吗？我使用V1.21，因为V1.25不能在调试模式下编译和运行。由于明显的原因，太害怕不敢移动到V1.26。

除了空与零之间，指针和整数之间的转换是实现定义的（或未定义的）。数据和eds地址空间不兼容，试图在页寄存器中使用0来寻址数据空间会导致地址陷阱——在指向这两个空间的指针或原因之间没有明智的方法进行强制转换。我有点惊讶编译器不只是巴掌。我真的不知道你有什么可抱怨的。

我必须同意。将一个EDS指针强制转换为某种随机类型并发现它不工作，这与将一个常量指针强制转换为8位部分上的非常量并发现它不工作一样令人惊讶。

铸造或不铸造，指针操作必须正确工作。为了确保这一点，您必须限制数组，使它们不跨越页面边界，或者必须提出跨越页面边界的指针操作。想要使用EDS的人可能更喜欢后者。

WOW-在没有评论之后，我发现@jyaronthe bugs（我提交了13个bug）在V1.25中，我的ticket仍然打开，我怀疑是否有v1.26中修复了（我已经太沮丧了，不想再尝试了）.@fluby., @jtemplesC标准声明抛出一个p点对int和返回必须指向相同的内存，如果int足够大，如果不够大，那么它就是未定义的。将prog和psv指针指向eds指针是完全合理的（也是理想的），因为它们是eds的子集。将普通指针强制转换为eds点是非常理想的。如果你有一个超过32K的堆栈，你必须使用eds指针（实际上不是……）。编译器生成正确的代码来处理“0”页，并且它们正确地处理了那个部分（尽管很痛苦），如果使用eds指针，则会得到所有ram的无缝地址空间。如果要使用_memcpy_eds，则如果将指针传递给ram（即页面0），则无法实现这一点。至于我的挫败感，我查看了编译器源代码，花了几个小时才找到我报告的3/4bug的修复（还有几个自V1.20之前他们就知道了！）

米基亚你支付每年200美元的敲诈勒索费用吗？

你能详细说明前面的语句中的“yMeMyPyEDS”标识符吗？我不认为这是一个在USPC文档中的LIB函数或忠告。

它只表示可以将指针转换为整数，并将任意整数转换为指针。它并不是说操作是对称的。

宏在“libpic30.h”中定义。在v1.25中，它被定义为，而它应该在头文件中注明，它将接受指向RAM的通用指针。如果指针指向PSV（如常量字符串），它将不起作用。编译器产生可怕的代码，但……不，我不支付他们200美元/年-我是一个退休的爱好者

它只表示可以将指针转换为整数，并将任意整数转换为指针。这并不是说操作是对称的。好吧，你是对的，ANS X3.159-1989（这是xc16的标准）不要求它是对称的，尽管我认为它一直是预期的行为。事实上，该标准包括一个脚注(37)C99，它明确地定义了到(u)intptr_t(以及由此而来的任何较大的整数)的转换和对称。ISO/IEC TR 18037:2006(E)(基于C99)是定义命名地址空间(即eds、prog、pmp...)的语法/语义的报告。L作为定点算术

只是为了凑合一下。我已经与EDS指针斗争了将近一周，并且已经到了可以自信使用它们的地步。（FYI，我正在使用PIC24EP512 MCU，xc16编译器；V1.25，MplabX IDE是V3.26——这个MCU使用DSRPAG，DSWPAG寄存器）关于向EDS:1进行强制转换的弱点的注释）EDS：除非地址来自固定到RAM或Flash中的先验已知位置的变量，例如{static const uint16_t_.((space(prog),address(0x027000))FlashData.=0xa5a5;//32Kpage"4"static const uint16_t_.((space(prog),add)(0x00035c)))FlashData.=0x5a5a；//32K页“0”静态的静态常量uint16_t_u属性_((空间(数据)，地址(0x0000008002))静态的0"0"静态的0"0"静态的uint16_t_t_t_t_u属性_u.u.u.u.((数据)，地址(0x00008002)))Ram.=0x1234;Ram高(Ram高)Ram高=0x1234; ///高"RAM&32K&RAM_&32K32K_u eds RAM>&32K_eds_u eds_u eds_u eds16_t*pFlashData.=(_eds_uint16_t*)&aMP；FlashDataLow；γ-Eds16UT**PRAMHOL=（α-EdsSuiUn1616t*）和RamHigh；}所有上述生成的EDS指针工作。当编译器生成程序集时，它“知道”地址是否在低RAM页内（低于32K边界）；*all*flash被当作是在“高”RAM中，这是应该的。编译器完全拒绝确定内存是否在“高”RAM中，即使该数字表示一个高RAM地址；{long L=0x01008000；//试图访问Flash程序内存低字@0x8000_eds_uint16_t*eds_p16=(u eds_uint16_t*)L；//EDS指针的值应该是0x2018000，但它有0x201000！}以上是使用添加到0x01000000的闪存程序存储器中的基本位置来访问闪存程序存储器（例如查找表）的简单尝试（常数通过转换来移位，以在地址的高字中创建0x0200；这是闪存的低字）。它的失败之处在于没有在EDS指针中设置位-15，所以mov操作不使用“高”RAM位置，所以DSWPAG和DSRPAG寄存器被忽略。地址）RAM地址来自RAM内存映射，Flash地址来自程序内存映射。---//这个联合允许我调整一个EDS指针，以纠正它。typedef联合eds_gen_type{_u eds_uint16_t*pEDS;//实际的指针uint32_t dEDS;//数据作为32位无符号}eds_gen_t;//创建一个EDS指针Flash存储器(低Word)的EDS兼容指针：Flash存储器(低Word)的闪存(低Word))内联静态_u eds_uin_uint16_t_uuueds_uint16_t_uuuuuuuu uuuuuuuuuuu_Worduuuuuuu_16_t*)内联静态_u ededededededededededededs_u 16161616161616_t_t_uuuuuuuuu t_x01000161616161616161616161616161616161616强制转换会丢失信息这是一个很高的位置！EdsVal.DEDS＝0x08000；/ /强制“高MEM”标志为真，Flash *不能设置为加载到低页中。返回edsVal.pEDS; }inline静态_eds_u_uint16_uint16_t.u_ededs_uin_u_uin_16_t.uu_uint16_t.}inline静态_u ededs_u eds16_pEDS;}in线性静态_u edededs_uu_uint16_t_u t.*edx010101018000 161616_t.*edsPoPo*edPoPoPoPoPoPoInterInterInterFlaFlaFlaFlaFlaFlaFlaFlaFlaFlaSMeMHigHWorhWorhWordd(uint32_t32_t32_t32_t32_t闪光Addr(uint32_t32它是*high-mem*location的信息离子！EdsVal.DEDS＝0x08000；/ /强制“高MEM”标志为真，Flash *不能设置为加载到低页中。返回edsVal.pEDS;}//高或低RAM页面（将同时做32K页）内联_u eds_uuuu32K页_uint16_t_32K页）内联_uuuuuuuuuuuuuuuuuuuuuu16161616页*eds高或低RAM RAM页面（uinPoPoPoPoPoPoPoPointerRAMRAMMemWormWormWord(uint32_tramt3232tramAdd32_t ramAddr){//RAM高或低页面，DSR：0X0001RAM高或低页面，DSR：0x0001edX0001edX0001edX0001ed或低页面，DSR：0x0001eds0001eds!)整个RAM空间限制为64K！如果（RAMADDR和AMP；0x8000）{//CAST转换松开了它是一个高MeM*位置的信息！edsVal.dEDS|=0x08000;//强制“high-mem”标志为true}返回edsVal.pEDS;}--如果您对编译器如何处理EDS地址感到好奇，那么它仅接受高位单词并将其填充到适当的DS*PAG寄存器中，这取决于它是读取点还是要进行wr。进入。低级单词通常被复制到W0中用于间接寻址。希望这能帮助一些人，我必须对编译器进行反向工程以确定它在做什么，其他任何地方都没有关于这个如何工作的信息。