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9个回答
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Q1才是保护感性负载的
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D1和Z1是限制Ugs防止Ugs过大，Q1用于泄放感性负载关断瞬间产生的大电流从而保护MOS管的
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因为是NNOS，如果S极感应出负高压，而G极又被D1、Z1钳住，所以UGS>0，然后NMOS导通。
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2019-9-10 08:12:26
评论
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qq609048002 完全就没看 5楼 的管型瞎扯蛋了。
9楼 说到点子上了。当由于感性负载使NMOS管的源极(S)出现负压，且大于Zds所钳制的电压，即源极电压小于(Vs-Vzds)时，Vzd导通，进而使NMOS管导通，给感性负载提供续流回路，以保护芯片的端口。 |
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那这样的话会不会出现一种情况是，源级虽然产生了负压，但是其幅值较小，导致栅级跟源级之间的电压值较小而不能使MOS管导通。
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顶一下，如果会有上面的情况的话，那如果外接感性负载的话外面一定要接续流二极管了。
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同意4楼，9楼。
============================= 感性负载关断后，磁场储能需要一个辞放的通道，一般会采用专门的消磁电路，如：RC，RCD，D，有源钳位等； 本案的应用，则勿需专门的消磁电路，当驱动脉冲关闭后，感性负载电流会下降，自感电动势上负下正，让NMOS处于恒流区消耗磁场能量。直到消磁完成后自感电动势消失，实现软关断。保护NMOS不被击穿。 |
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感谢楼上的回复，基本明白了，等再实验试一下。
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