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如下图所示振荡电路，当温度从-20度升温到70度的过程中，C3上的直流电压VC随温度的变化曲线程下凹状态，我有如下问题请教资深大神 1，为什么曲线下凹，是什么参数使之下凹？ 2，要如何做温度补偿使下凹曲线变平整？ 图中的电感是带罐形铁氧体磁芯的，直径为11mm，高7mm，电感量为110uH，直流电阻为0.8欧，漆包线是多股（0.08mm*6），绕了46T+14T,接地端是14T，接Q2A的那边是46T; 
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13个回答
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补充一下，此电路中的C5使用的是NPO电容，这是电感式接近开关的的电路；当有铁质物体靠近电感线圈时，VC的电压值会升高，当高过阀值时产品就会输出一个信号，PROT下级就是一个比较器，所以VC的曲线越平坦则接近开关的感应距离的越精准。
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Q2是6脚封装的复合管，Q2A是给Q2B做温度补偿的。
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可能的原因：
一、温度变化引起电感罐形铁氧体磁芯特性变化，使振荡幅度变化，从而导致Q2B集电极电流平均值变化。 二、温度变化引起电容C5特性变化，使振荡幅度变化，从而导致Q2B集电极电流平均值变化。 三、温度变化引起Q2B特性变化，从而Q2B集电极电流平均值变化。 四、温度变化引起Q2A特性变化(正向压降减小)。 |
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你要这个曲线变平整，有什么限制么？可不可以使用恒温装置？
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曲线下凹，理论上就是C极工作点向下偏移，而导致向下偏移的，这里典型的有震荡幅度变大会造成，当然还包括其他因素，比如电容损耗-温度关系 电感损耗温度关系 晶体管温度特性，都会造成。
稳定Vc目标需求很疑惑，是想做什么呢？ 如果只是为了稳定VC，则可以通过检测VC，通过比较反馈，调整震荡深度，来实现。 |
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个人觉得没什么补的必要,如果能补的话人家就不用搞晶振电路了.
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先试验电源5V的温度特性。
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这是电感式接近开关的电路，就是因为这个曲线的存在，会使用产品的感应距离因为温度的变化而超出标准之外，那生产时的不良率就会高。
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此处必须用电感式振荡电路，这是电感式接近开关的电路
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按照一般介绍，Q2A是做稳压和度补偿，但是R2电阻值合适吗？
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首帖所说“曲线下凹”，曲线反映的是Q2B集电极平均电流。Q2B集电极平均电流，我在3楼已经说过“Q2B集电极电流平均值变化，是振荡幅度变化导致的”。振荡幅度越大(振荡“强”)，集电极电流平均值越小。
曲线中间下凹，说明20摄氏度左右振荡“强”，温度比较高和温度比较低情况下，振荡都“弱”。振荡“弱”，可能的原因我在2楼已经列举四条(当然，可能还有其它原因)。 |
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楼主的电路，是自激式振荡电路(哈特莱电路)。接近导电物质后，谐振回路Q值降低，振荡幅度减小甚至停振。注意：振荡减弱意味着比首帖曲线更高的位置，即集电极电压比室温时更高。所以，高温或者低温时能够使楼主的接近开关动作的距离，比室温时更大(室温时接近开关动作的距离最大)。
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