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讲讲为什么在晶振上并电阻啊?
一般接crystal内部的芯片电路,原理上就是一个非门电路,非门在微观电路上可以看成一个增益个别大的放大器,接一个电阻,你可以看作是反馈电阻,它的作用是让震荡器更加稳定的工作。 |
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电阻是为了使本来为逻辑反相器的器件工作在线性区, 以获得增益, 在饱和区是没有增益的, 而没有增益是无法振荡的. 如果用芯片中的反相器来作振荡, 必须外接这个电阻, 对于CMOS而言可以是1M以上, 对于TTL则比较复杂, 视不同类型(S,LS...)而定. 如果是芯片指定的晶振引脚, 如在某些微处理器中, 常常可以不加, 因为芯片内部已经制作了, 要仔细阅读DATA SHEET的有关说明。
晶振旁的电阻(并联与串联) 一个晶振电路在其输出端串接了一个22K的电阻,在其输出端和输入端之间接了一个10M的电阻,这是由于连接晶振的芯片端内部是一个线性运算放大器,将输入进行反向180度输出,晶振处的负载电容电阻组成的网络提供另外180度的相移,整个环路的相移360度,满足振荡的相位条件,同时还要求闭环增益大于等于1,晶体才正常工作。 晶振输入输出并上电阻作用是产生负反馈,保证放大器工作在高增益的线性区,一般在M欧级,输出端的电阻与负载电容组成网络,提供180度相移,同时起到限流的作用,防止反向器输出对晶振过驱动,损坏晶振。 和晶振串联的电阻常用来预防晶振被过分驱动。晶振过分驱动的后果是将逐渐损耗减少晶振的接触电镀,这将引起频率的上升,并导致晶振的早期失效,又可以讲drive level调整用。用来调整drive level和发振余裕度。 Xin和Xout的内部一般是一个施密特反相器,反相器是不能驱动晶体震荡的.因此,在反相器的两端并联一个电阻,由电阻完成将输出的信号反向 180度反馈到输入端形成负反馈,构成负反馈放大电路.。 并联M级电阻作用: 1.配合IC内部电路组成负反馈,移相,使放大器工作在线性区。 2.降低谐振阻抗,使谐振器易启动。 3.电阻取值从100k-20M都可以正常起振,但会影响脉宽比。 串联K级电阻作用: 1.和晶振串联的电阻常用来预防晶振过驱,限制振荡幅度。 并联在晶振上的两颗电容一般取值为20-30pf左右,主要用于微调频率和波形,并影响幅度。 |
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这是汽车360全景控制器上的主板,请问圆圈中的原件是什么,起什么作用?
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