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a122392319 发表于 2019-7-8 12:33 好的,我用您的方法今天试试,图为两个芯片的驱动波形,后一个波形是没有坏的驱动芯片输出的,前一个是经常坏的那个芯片输出的,我觉得区别不是太大。这里有一点不是太明白,我供电电压大概为12.9V这样,但是我测出的驱动输出波形幅值又15V,这个不是太清楚是怎么回事,以前好像没遇到过这样的现象,可否帮忙解答下,谢谢 |
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yuhe82 发表于 2019-7-8 12:38 你好,是不是探头和示波器没有较零,因为你的低电平也有2.5V左右,减一下就对了。感觉你是交错并联吧,你单路开有没有好些,你可以也试着增大一点驱动电阻看看,会不会好一些。 |
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yuhe82 发表于 2019-7-8 13:45 你好,在不隔离电源中,功率地和信号地的直流电位是相同的,所以可以连接在一起,但是必须只在一点处连接,通常会选择控制芯片的GND或者输出电容接地的管脚附近。这样做可以避免功率电流通过信号地回流(因为单点连接,功率电流通过信号地无法回流至输入端功率地),这样信号地中不会有功率电流,也就能够减少干扰。 在隔离电源中,两个地是有可能不接的。 |
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tracyli1991 发表于 2019-7-8 14:03 如果不连的话会有什么问题嘛?我在实际应用中没有相连,不过用着也看不出问题,另外你们的样例应用中也没有连啊?这个片子要求AGND与PGND相连,我可否理解为,实际其VDD的供电时来自同一个,并不是隔离的,那么实际驱动侧的供电需要有一个比较小的回流路径,那么实际是为驱动输出侧提供了一个阻抗很小的回流路径,不知是不是这个意思,谢谢 |
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yuhe82 发表于 2019-7-8 13:31 VDD与GND之间需要加解耦电容来提供瞬间的驱动电流,之前看错了以为您加了,原来您不是在PGND处加的,不好意思(PGND端电容一般比AGND端要大)。 此处的电压尖峰应该不是探头引入的,我以前做实验也遇到过(差分探头测量)这是ds电压变化影响GS电压的情况。 TVS 我以前在学校经常加一个,加的原因主要是怕GS电压太高损坏MOS,直接并联在MOSFET 的GS两端,如果您的驱动电压尖峰开关管可以承受不加也是可以的。 增加驱动电阻会增加变换器的开关损耗,从而影响效率。好处是可以减小Vds电压尖峰,EMI也会好些。(看你需求是什么,case by case),这里您的问题如果解决了,也可以不做调整,后期如果有问题,再考虑。 |
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yuhe82 发表于 2019-7-8 14:15 你好: 隔离的含义是指电路两边不存在电气上的连接,但可能存在磁耦合(变压器)或者光耦合(光耦),所以这个芯片本身肯定是不隔离的。在非隔离电源中,AGND和PGND之间的直流电位是一样的,不管是通过0欧电阻还是短路连接,如果在驱动芯片上没有连接,在其他位置也会有连接。 正如你所说,驱动输出的峰值电流很大,为了给驱动输出提供较小的低阻抗电流回路,在VDD与PGND之间需要跨接一个电容,以补充驱动瞬间的电流。 |
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