[问答]

193 nm ArF浸没式光刻技术和EUV光刻技术

问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 0 翁寿松 (无锡市罗特电子有限公司，江苏无锡214001) 1 32 nm/22 nm工艺进展 2006年1月英特尔推出全球首款45 nm全功能153 Mb SRAM芯片。英特尔将投资90亿美元在以下4座45 nm、300 mm晶圆厂量产45 nm MPU： (1)美国俄勒冈州Fab PID厂，2007年下半年量产； (2)美国亚利桑那州Fab 32厂，投资30亿美元，2007年末量产；(3)以色列Fab 28厂，投资35亿美元，2008年上半年量产；(4)美国新墨西哥州RioRancho Fab 11X厂，投资10～15亿美元，从90 nm过渡至45 nm，它是英特尔产首座300 mm晶圆厂，也是英特尔首座全自动化300 mm晶圆高量产厂。 45 nm芯片的即将量产意味着32 nm/22 nm工艺将提到议事日程上，英特尔将于2009年推出32nmMPU，2011年推出22 nm MPU。IBM与特许将在IBM纽约州East Fishkill 300 mm晶圆厂内联合开发32 nm bulk CMOS工艺。2007年2月美光推出25 nm NAND闪存，3年后量产25 nm闪存。目前32 nm/22 nm工艺尚处于研发阶段。 0
2019-7-1 07:22:23　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × Dockert 该类别下有 10 个回答。邀请回答 cmh22 该类别下有 10 个回答。邀请回答 testd012 该类别下有 9 个回答。邀请回答 wupei1024 该类别下有 9 个回答。邀请回答报纸弟弟麦花该类别下有 9 个回答。邀请回答 nvhwyrwerw 该类别下有 9 个回答。邀请回答 tutu10 该类别下有 9 个回答。邀请回答 milly888 该类别下有 9 个回答。邀请回答 scmywkf 该类别下有 8 个回答。邀请回答 st94wo 该类别下有 8 个回答。邀请回答 04860860686 该类别下有 8 个回答。邀请回答 vtwterwer 该类别下有 8 个回答。邀请回答 kingnet_52040 该类别下有 8 个回答。邀请回答 wyerwwr 该类别下有 8 个回答。邀请回答 hanyan533 该类别下有 8 个回答。邀请回答 LDF7803 该类别下有 7 个回答。邀请回答 zhuo85 该类别下有 7 个回答。邀请回答宋小辉1 该类别下有 7 个回答。邀请回答 73723fsdfw 该类别下有 7 个回答。邀请回答 asd008 该类别下有 7 个回答。邀请回答举报甘孟杰相关推荐 • 光刻胶有什么分类？生产流程是什么？ 3836 • PCB工艺设计原理 5639 • 光刻掩膜设计与加工制造服务，请问可以加工二元光学器件吗？ 234 • XX nm制造工艺是什么概念 6103 • 光刻法制作叉指电极，叉指电极的图案用什么软件绘制，以及是否有绘制教程 10144 • 太阳能电池薄膜激光刻蚀机配了台特域冷水机，用的是什么制冷机？ 1794 • 喷胶机有什么典型应用？ 1575 • 请问怎么建立芯片技术？ 1463 • 什么是RF MEMS？有哪些关键技术与器件？ 4391 • CPU上有多少个晶体管？ 2495 2个回答

答案对人有帮助，有参考价值 0 2 193 nm ArF浸没式光刻技术处绝对优势由于EUV光刻技术进展缓慢，2006年11月英特尔决定转用193 nm ArF浸没式光刻技术研发32 nm工艺。英特尔技术与生产事业部副总裁兼元器件研究总监Mike Mayberry说：“由于EUV进展缓慢，英特尔不得不打算在32节点领域采用193 nm ArF浸没技术。”他认为，在这一年里，EUV技术并没有多大改进。在英特尔宣布上述决定后的3个月，即2007年2月底IBM决定在22 nm节点上抛弃EUV技术，将193 nm ArF浸没式光刻技术延伸至22 nm节点，并量产。以上两项决定，对EUV光刻技术来说是一个不好的征兆，甚至是一个严重的打击。IBM认为，采用193 nm ArF干法光刻技术量产65 nm逻辑芯片，采用193 nm ArF浸没式光刻技术量产45 nm逻辑芯片。IBM采用的193 nm ArF浸没式光刻机由ASML提供，NA=1．2，2007年初193 nm ArF浸没式光刻机可投入牛产，2007年底量产45 nm芯片。IBM光刻技术开发总监George Gomba认为，要量产22 nm芯片的193 nm ArF浸没式光刻机还必须采用如下技术：(1)NA=1.35；(2)单图形和双图形工艺；(3)RET和OPC。2011年IBM将采用193 nm ArF浸没式光刻技术量产22 nm芯片。

2019-7-1 11:51:10 评论举报王聪

答案对人有帮助，有参考价值 0 3 EUV光刻技术存在的问题 EUV(极紫外线光刻技术)是下一代光刻技术(≤32nm节点的光刻技术)。它是采用波长为13．4nm的软x射线进行光刻的技术。英特尔、IBM是EUV光刻技术的积极支持者，ASML、尼康、佳能是EUV光刻机的开发商。迄今为止，ASML已研制出2台试用型EUV光刻机供32：nm工艺研发用，不作生产用，设备名称Alpha Demo Tool(ADT)，价格6500万美元。一台给美国纽约州Albang大学纳米科学与工程学院(CSNE)，另一台给比利时IMEC微电子中心。近年来，EUV光刻技术研究成果与战绩： (1)2004年9月日本EUV光刻系统开发协会表示，正在瞄准CO2激光光源，它可降低激光成本20%。该协会正在研究2种光源，一是成本较高的激光产生的等离子，在中等聚焦下，消耗3．1 W功率。若添加一个调压放大器，将YAG激光功率从现在的1．3 kW提高到1．5 kW，最终达4 kW目标；二是存在碎片问题的放电产生等离子。 (2)2005年德国xfreme Tech公司开发出800 WEUV光源，2010年可达1 000 W。 (3)2006年9月欧洲Focus GmH、Bielefeld大学和Maine大学联合推出用于EUV光刻机的光致电子显微镜，它对芯片不产生破坏作用，测量精度可达20 nm特征尺寸。它是欧洲委员会资助EUV开发More Moor项目，为期3年(2004～2006年)，投资2 325万欧元。 (4)2006年12月ASML以2．7亿美元收购半导体设计晶圆制造技术商Brion Tech公司，后者力致于计算光刻市场，包括设计验证、刻线增强技术和光学矫正等。目前EUV光刻技术存在的问题：(1)造价太高，高达6 500万美元，比193 nm ArF浸没式光刻机贵；(2)未找到合适的光源；(3)没有无缺陷的掩模；(4)未研发出合适的光刻胶；(5)人力资源缺乏；(6)不能用于22 nm工艺早期开发工作。虽然目前EUV光刻技术还存在不少问题，但业界并未对它判处“死刑”，正如：IBM光刻技术开发总监George Gomba所说：“未来9-12个月里将是实现EUV进入量产的重要阶段，希望EUV光刻技术能接近22 nm节点，这一技术可能要到2009年才会最终成熟。” 由此可见，英特尔、IBM的表态，充分表明193 nm ArF浸没式光刻技术将成为32 nm/22：nm工艺的主流光刻技术。

2019-7-1 11:51:18 评论举报李雨欣