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初版,是常见的H桥控制负载正反转,有一个隐患,是N1在从VCC转换到0V的时候,有个中间态VCC/2,这个电压会使单边上下MOS导通,产生异常。
改版,是针对低压系统驱动高压负载,还加了一路硬件保护,避免了在两控制脚同高时单边MOS导通。 有建议的大家提出来一起分析。 |
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2个回答
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mos的G极电阻是根据G极寄生电容,三极管就是维持导通电流换算电阻了。
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好吧,我错,没看清mos的类型
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