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最近设计要一个电路，过去由于不注意功耗都是用的二极管做防反接电路，从网上找了一个参考设计，但是不知道参数是否合适。请高手给点意见，芯币不多但是点心意。电路要求5V工作电压，最大2A电流，也就是10W功耗。 
PMOS参数： 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A 漏源电压（Vdss） 12V 栅源极阈值电压（最大值） 1.4V @ 250uA 漏源导通电阻（最大值） 55 mΩ @ 3A，4.5V 类型 P 沟道 SOT23-3封装 稳压二极管： ON(安森美) 1SMA5919BT3G 精度 ±5% 稳压值(典型值） 5.6V 反向漏电流 2.5uA @ 3V 最大功率 1.5W 
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1 条评论
19个回答
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各位看看参数是否合适？给点意见
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设计参数选择计算依据：
PMOS开启电压4.5V > 5V; PMOS Vdss 4A > 2A; 稳压二极管保护作用，不需要稳压。 稳压工作电压 5.6V > 5V 5%误差 最低5.32V > 5V,比较接近5V不会引起稳压二极管工作。 |
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首帖电路，当输入反接时(5V端成为电源负端)，稳压二极管D1将使反接的电源短路，该稳压二极管估计立即烧毁，或者电源损坏。
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电路设计原理分析如下：当SW1接通后，Q1的寄生二极管导通，与负载形成回路，源极S电位大约为Vbat-0.6V（5V - 0.6V=4.4V），而栅极G的电位为0，PMOS管的开启电压极为：Ugs = 0 -（Vbat-0.6）(-4.4V)，栅极G表现为低电平，PMOS的ds导通，寄生二极管被短路，电路通过PMOS的ds接入形成工作回路。
如果反接，PMOS寄生二极管反接，电路是断开，栅极G表现为高电平，PMOS关断。整个电路不工作。电容C1可以起到缓冲栅极G电压的作用。但是，我选择的器件开启电压为-4.5V，是不是会出现PMOS无法开启的问题？ |
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1 条评论
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原电路去掉R1 C1就可以了
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P管的D S接反了吗？反正是画反了 R2作为负载，有D1存在 有电压不是应该的吗？
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学习了不错的资料
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把稳压管换成双向瞬态管
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2019-4-25 16:55:22
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改后的可以的，将D1调整为Q1的后面
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R1 C1是用来吸收Pmos开关时候的尖峰的
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你的PMOS管接错了，源极S要接电源。我也是小白，仅供参考哈
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本帖最后由 睿智的我早已看出真相 于 2019-12-14 21:12 编辑
你可以参考一下这个，正接时R33和R34构成的分压器用于开启MOS，可以根据MOS的VGS来改这俩电阻，D10是肖特基，正接不通。反接时1N5819W导通，把R34近乎于短路，MOS截止
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2019-12-14 21:11:13
评论
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我想要用半桥电路测试IGBT，但是IGBT总是导不通，求大家帮忙看看是为什么
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