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TPS40192开关管MOSFETS损耗是1W是根据什么设计的

2019-4-24 06:57:59 2215 开关管 MOS管

0 根据TPS40192的资料中的应用实例和步骤：MOSFET Switch Selection(Q1,Q2)中的描述（如下图示）：有以下问题不是很明白： 1.总的MOSFETS损耗是1W，是根据什么设计的此参数。 2.按照VIN=12V,PG1SW=0.6W,IOUT=10A,VDD=12V,VT=2V,RDRV=2.5Ω，fSW=600kHz求得的QGD1好像是33.3nC，但是文中描述是8.5nC 希望知道的网友帮忙答疑以下，谢谢！ 0
2019-4-24 06:57:59　　评论淘帖0 举报相关推荐 • TPS40192大电流降压模块开源 7 • 介绍 TPS40192 与 TPS40193 功能及应用 6433 • C642x–TPS40192 (x 2) & TPS73018测试报告 11 • TPS40192,pdf(4.5V TO 18V INPUT 15 • 1w白光管结电压为什么会变化 2399 • 具有TPS61085的低成本1W隔离电源解决方案 0 • 6个1w led驱动 2037 • 怎么检测灯珠是1w还是3w的？ 9135 • 深圳FPGA工资 1W是什么水平 19970 • pam5102a不能直接驱动1w的喇叭，有没有可以驱动1w 8Ω的喇叭的？ 120 10 个讨论

0 Hi MOS的损耗至多1W，是因为要做到90%的效率，那么可以依据你的输出功耗算出总体的损耗，然后扣掉电感的功耗，剩下主要就是MOS的功耗和驱动的功耗了。

2019-4-24 07:14:19 评论举报 1^# 李姜芫

0 Hi 我觉得在计算中少了一个1/2，这一点你可以对照上面的第十七式。下面的计算QGD1< 0.6/(1410) (5-2)/2.5 * 1/600k=0.63/（1402.5*0.6M)=600/70=8.5nC 是没有问题的。

2019-4-24 07:31:36 评论举报 2^# 李姜芫

0 sdfjaslkdjf 发表于 2019-4-24 07:14 Hi MOS的损耗至多1W，是因为要做到90%的效率，那么可以依据你的输出功耗算出总体的损耗，然后扣掉电感的功耗，剩下主要就是MOS的功耗和驱动的功耗了。 Hi 这里的Vin按照最大电压是14V， VDD实际上是指驱动电平电压，即Vbp5,计算时按照5V算的。

2019-4-24 07:42:48 评论举报 3^# 李姜芫

0 您好，第一个问题：至于为什么是1W，我也不清楚，根据我的理解：这只是一个估计的结果，考虑到效率问题，预定一个大概的功率损耗，也可以是0.8W等等，that's ok. 第二个问题：其实这里是datasheet误导了你，其实这里不应该是VDD，应该是驱动电压，驱动电压VBP是5V，所以Vdd-Vth=5-2=3V,根据公式17开关损耗最大的点是输入电压最大时，因此此时VIN=14V，你带进去试试，我算了一下应该是8.57nC，这边就给了8.5nC的数据。我的理解是这样。以上是我的理解，希望有帮助到您，谢谢。

2019-4-24 07:54:50 评论举报 4^# 李桂芝

0 sdfjaslkdjf 发表于 2019-4-24 07:31 Hi 我觉得在计算中少了一个1/2，这一点你可以对照上面的第十七式。下面的计算QGD1< 0.6/(1410) (5-2)/2.5 * 1/600k=0.63/（1402.5*0.6M)=600/70=8.5nC 是没有问题的。嘿嘿，发出回复发现你在我前面回复了，回复你一下，这里为什么没有1/2，开通和关断，虽然公式不同，但是粗略的话可以认为损耗相同，那这样就没有1/2了，我的理解是这样的，欢迎补充指正。

2019-4-24 08:09:40 评论举报 5^# 李桂芝

0 sdfjaslkdjf 发表于 2019-4-24 07:42 Hi 这里的Vin按照最大电压是14V， VDD实际上是指驱动电平电压，即Vbp5,计算时按照5V算的。非常感谢您和您的解答！

2019-4-24 08:23:36 评论举报 6^# 严岩

0 a122392319 发表于 2019-4-24 07:54 您好，第一个问题：至于为什么是1W，我也不清楚，根据我的理解：这只是一个估计的结果，考虑到效率问题，预定一个大概的功率损耗，也可以是0.8W等等，that's ok. 第二个问题：其实这里是datasheet误导了你，其实这里不应该是VDD，应该是驱动电压，驱动电压VBP是5V，所以Vdd-Vth=5-2=3V,根据公式17开关损耗最大的点是输入电 ... 灰常感谢，我会认真核对资料！

2019-4-24 08:41:24 评论举报 7^# 严岩

0 sdfjaslkdjf 发表于 2019-4-24 07:31 Hi 我觉得在计算中少了一个1/2，这一点你可以对照上面的第十七式。下面的计算QGD1< 0.6/(1410) (5-2)/2.5 * 1/600k=0.63/（1402.5*0.6M)=600/70=8.5nC 是没有问题的。 TO：tao smith 谢谢您的解答！我会认真阅读资料，好好分析学习。

2019-4-24 08:52:23 评论举报 8^# 严岩

0 sdfjaslkdjf 发表于 2019-4-24 07:14 Hi MOS的损耗至多1W，是因为要做到90%的效率，那么可以依据你的输出功耗算出总体的损耗，然后扣掉电感的功耗，剩下主要就是MOS的功耗和驱动的功耗了。要做到90%的最大效率，输出10A，1.8V那总的损耗至多是1.8W才对。电感的功耗6.6mΩ10A10A=0.66W，MOS损耗的损耗至多1.14W，当然上端MOS功耗肯定比同步的MOS功耗大一些。上端应该是0.6*1.14W,这样的话Qgd就是9.7nC。不知道这么理解对不对？TPS40192的Datasheet中图17对输出端描述是错误的，应该是10A，1.8V输出！同理，下边对Rds的求解也是有问题：按照它的参数算出来Rds(on)Q1

2019-4-24 09:03:23 评论举报 9^# 严岩

0 toomuchsnow 发表于 2019-4-24 09:03 要做到90%的最大效率，输出10A，1.8V那总的损耗至多是1.8W才对。电感的功耗6.6mΩ10A10A=0.66W，MOS损耗的损耗至多1.14W，当然上端MOS功耗肯定比同步的MOS功耗大一些。上端应该是0.6*1.14W,这样的话Qgd就是9.7nC。不知道这么理解对不对？TPS40192的Datasheet中图17对输出端描述是错误的，应该是10A，1.8V输出！同理，下 ... Hi 其实这些都是大致的估算，知道大致的算法就可以了，我觉得上述更多的是让客户了解到大致的损耗在哪，并不是非常的严格，具体您可以到板子做出来之后再比照。实际做成板子后，就比较有经验，那些会影响到效率。你还可以在板子调试的注意一下这些问题，例如选择Qg较大的MOS和Qg较小的MOS，可以发现效率的变化。

2019-4-24 09:10:04 评论举报 10^# 李姜芫

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