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APP程序大于64k，所以打算sram每接受2k数据校验无误后再写入flash。第一次次接受完2k后通过iap_write_appbin(FLASH_APP1_ADDR,USART_RX_BUF,applenth)，此时FLASH_APP1_ADDR为0x08010000。第二次接收完2k后再次调用iap_write_appbin(FLASH_APP1_ADDR,USART_RX_BUF,applenth)时，此时的FLASH_APP1_ADDR为多少啊？是FLASH_APP1_ADDR+applenth吗？
求大神解答，本人目前小白，这里拿不准。 
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2个回答
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既然是接收完2K，那applenth不应该是固定的2K吗？
FLASH写要留意是否要求4字节对齐。 整个新APP最好再加校验，而不光光是每块校验。防止变砖。 另外可以考虑实现压缩和加密传输。 |
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我用的是STM32F103ZET6,书上只说flash一次只能写入16位
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