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电路如上图，三集管采用 8050、8550 偏置电阻采用1K 6*1=6ma ，估三极管放大100倍，600ma Q1电位，6.6， Q2电位：5.4 实际焊板后：Q1基极6.6-6.7，Q2：5.3-5.45 按书上说的推挽电路UI不接时应该输出为0才对， 实际是Q2直接烧，电流直线上升， 偏置电阻改成4.7K/10K就能为0，但输出功率几乎没有，估计是1K偏置电流过高，这个到底要怎么算呢？ 
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8个回答
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理论上讲 1K与4.7K分压应该是一样的，但实际上1K分解在静态时Q1的集电级大根进入了饱和状态？ 电流成直线上升，Q1发射级是6V多点点，二极管与8050BE压降不可能一模一样，应该是这引起的吧，导致8550饱和导通， 8550的基级偏置是5.4V，这0点几伏的偏差引起8550烧毁，我是这么理解的，那为什么偏置用4.7K就没问题呢？
偏置1K，偏置电流6ma, 偏置4.7K,偏置电流1.2ma |
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Q2导通这直接对地 没有经过负载
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超过三级管的最大功耗了
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输出为零是指交流成分。Q2烧掉不大可能，除非管子选错，你看看数据表
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2019-4-17 08:16:56
1 评论
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2019-4-18 16:52:06
评论
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三极管的Vbe具有温度越高就越小的负温度特性，所以由这样的电路取出大量的负载电流时（推挽输出往往输出大电流），所以，Q1,Q2的温度就升高，Vbe的值就减小。
然后二极管D1,D2流过的电流基本不变，所以二极管的温升基本不变，所以二极管的正向压降Vf基本不变，从而Vbe≈Vf的关系被破坏（Vf＞Vbe）。 这样一来，在Q1,Q2的基级上就有了Vbe-Vf的差值对应的基级电流。而集电极上则有了hfe倍的基级电流在集电极上流动。这个电流直接从VCC经过Q1,Q2到GND.这个大的电流进一步增加了Q1,Q2的温升，所以进一步破坏Vbe和Vf的关系，这样进一步增加基级电流，从而增加集电极电流。这样反复下去，导致Q1,Q2热击穿。 Q1没烧毁而Q2烧毁的原因可能是Q1的Vbe和二极管的Vf耦合的更好。 解决办法：在Q1,Q2的发射极串两个小阻值电阻，可以防止热击穿，但这不是解决问题的根本办法，因为没有根本解决空载电流随温度变化的问题。（串联的电阻不能太大，否则跟随器的输出阻抗就大了） 根本的解决办法：推挽跟随器的偏置电路里使用同型号的晶体管进行热偶和。 |
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2019-4-26 15:07:48
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