支持Microwire总线的串行3线接口的串行EEPROM

电源

BR93H46-2C是ROHM（罗姆）推出的串行3线接口的串行EEPROM。BR93H46-2C系列包含5种型号，分别是：BR93H46RF-2C、BR93H46RFJ-2C、BR93H46RFVT-2C、BR93H46RFVM-2C与BR93H46RF-2LB(H2)。这几款产品的绝大部分基础参数均一致：容量均为1Kbit，电源电压范围为2.5V 至 5.5V，较宽的供电电压范围能够简化供电电路设计。几款产品的主要区别在于封装形式的不同BR93H46RF-2C与BR93H46RF-2LB(H2)采用SOP8形式的封装，封装的尺寸为5.00mm x 6.20mm x 1.71mm，BR93H46RFJ-2C采用SOP-J8形式的封装，封装的尺寸为4.90mm x 6.00mm x 1.65mm，BR93H46RFVT-2C采用TSSOP-B8形式的封装，其封装尺寸为3.00mm x 6.40mm x 1.20mm，BR93H46RFVM-2C采用MSOP8形式的封装，封装的尺寸为2.90mm x 4.00mm x 0.90mm，通过封装外观可清晰的分辨出同一系列不同型号的存储器，方便用户选型。

图一：BR93H46-2C EEPROM存储器封装外观图

本产品最主要的特点是支持3线制的Microwire总线形式，除此之外，还具有一些其他的特性。其可承受高达6kV的静电电压（HBM/典型值），有较好的静电抵抗能力，扩展了BR93H46-2C的应用场景；该系列产品可以在较宽的温度范围内工作，其工作温度范围为-40℃至+ 125℃，符合工业级器件温度要求；在防止写入错误方面也做了特定的设计，包括：开机时写禁止、通过命令代码禁止写入、低电压写操作错误预防电路等。能够有效的避免写入错误；5V操作电压下，在写入操作时，该产品电流消耗典型值为0.8mA。读操作时，该产品电流消耗典型值为0.5mA。待机状态下，其功耗典型值低至0.1μA，很大程度上减少了功率的消耗；采用ROHM的双单元结构，增加了存储器的可靠性。在数据存储方面，写入周期寿命高达300,000次，可以保留超过50年的数据，并且完全符合AEC-Q100标准。

图二：BR93H46-2C EEPROM存储器产品引脚图

BR93H46-2C EEPROM存储器产品特点：

·符合Microwire BUS
·可承受高达6kV的静电电压（HBM/典型值）
·宽温度范围-40℃至+ 125℃
·2.5V至5.5V单电源电压操作
·READ操作时的地址自动递增功能
·防止写错误
·开机时写禁止
·通过命令代码禁止写入
·低电压写错误预防电路
·自定时编程周期
·电源电流消耗

王凤英 · 2019-4-10 09:11:37

看看了

王一凡 · 2019-4-10 09:29:56

很好的资料,,,,,,,,,,,

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2 条评论

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