MOS管在电路中的应用理解，看完这些你就全明白了

2019-4-9 11:39:46 2652 MOS管

0 `电子产品生产中不可或缺的两个核心“人物”，那便是MOS管与三极管，它们两者都在电路中发挥着重要的效果，尤其是MOS管，深受电子工程师的喜爱，因为MOS管相比于三极管，开关速度快，导通电压低，电压驱动简略，所以越来越受工程师的喜欢，可是，若不妥规划，哪怕是小功率MOS管，也会导致芯片烧坏，原本想着更简略的，最后变得愈加复杂。这几年来一向做高频电源规划，也触及嵌入式开发，对巨细功率MOS管，都有必定的了解，所以把心中了解的经验总结一番，构成理论模型。MOS管等效电路及使用电路如下图所示：把MOS管的微观模型叠加起来，就如下图所示：咱们知道，MOS管的输入与输出是相位相反，刚好180度，也便是等效于一个反相器，也能够了解为一个反相作业的运放，如下图：有了以上模型，就好办了，尤其从运放这张图中，能够一眼看出，这便是一个反相积分电路，当输入电阻较大时，开关速度比较缓慢，Cgd这颗积分电容影响不明显，可是当开关速度比较高，而且VDD供电电压比较高，比方310V下，经过Cgd的电流比较大，强的积分很容易引起振动，这个振动叫米勒振动。所以Cgd也叫米勒电容，而在MOS管开关导通或者关断的那段时刻，也便是积分那段时刻，叫米勒渠道，如下图圆圈中的那部分为米勒渠道，右边的是振动严峻的米勒振动：因为MOS管的反应引入了电容，当这个电容足够大，而且前段信号变化快，后端供电电压高，三者结合起来，就会引起积分过充振动，这个等价于温控的PID中的I模型，要想处理处理这个米勒振动，在频率和电压不变的情况下，一般能够进步MOS管的驱动电阻，减缓开关的边沿速度，其次比较有效的方法是添加Cgs电容。在条件允许的情况下，能够在Cds之间并上低内阻抗冲击的小电容，或者用RC电路来做吸收电路。下图给出我常用的三颗大功率MOS管的电容值：LCR电桥直接丈量从图上能够看出，Inifineon6代MOS管和APT7代MOS管功能远远不如碳化硅功能，它的各个目标都很小，当米勒振动经过其他手段无法下降时，能够考虑更换更小的米勒电容MOS管，尤其需要重视Cgd要尽可能的小于Cgs。 ` 4
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