IGBT绝缘栅双极晶体管的基本结构与特点

半导体

什么是IGBT(绝缘栅双极晶体管)？IGBT是　"Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母缩写，也被称作绝缘栅双极晶体管。
IGBT被归类为功率半导体元器件晶体管领域。
功率半导体元器件的特点除了IGBT外，功率半导体元器件（晶体管领域）的代表产品还有MOSFET、BIPOLAR等，它们主要被用作半导体开关。
根据其分别可支持的开关速度，BIPOLAR适用于中速开关，MOSFET则适用于高频领域。
IGBT是输入部为MOSFET结构、输出部为BIPOLAR结构的元器件，通过这两者的复合化，既是使用电子与空穴两种载体的双极元件，同时也是兼顾低饱和电压（与功率MOSFET的低导通电阻相当）和较快的开关特性的晶体管。
尽管其具有较快的开关特性，但仍比不上功率MOSFET，这是IGBT的弱点。
【功率元器件的基本结构与特点】
MOSFETBIPOLAR
IGBT
基本结构

控制
栅极电压
基极电流
栅极电压
容许电流
✕
△
○
开关
○
✕
△
导通电阻
✕
△
○

MOSFET是指半导体元件的结构为Metal（金属）- Oxide（半导体氧化物）- Semiconductor（半导体）的三层结构的Field-Effect Transistor（场效应晶体管）。BIPOLAR是指使用了双极性元件，将称为p型和n型的两种半导体构成n-p-n及p-n-p结构的电流工作型晶体管。

张秀珍 · 2019-3-27 08:24:51

资料很好,,,,,,

徐铭潞 · 2019-3-27 08:32:25

看看了

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2 条评论

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