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`因为项目需要输出电压动态可调，所以考虑自己输出PWM波+BUCK降压电路来实现调压 电路图如下图，电感L2是12*12的全包围电感，Q3是AO4606 N+P双MOS 现在PWM调整电压没有问题，可是负载超过500mA，MOS就开始发烫，电感也发热（手指无法忍受），两个滤波电容C6，C7也发热（手指可以忍受） 将AO4606的6号脚翘起，接了0.02欧电阻，再接回电路，示波仪检测电阻两端，尖波峰值有1.04V（等效52A），占空比极低 MOS的工作电阻如下图，应该不是工作电流损耗，应该是开关管损耗，可是无从下手，希望路过大佬给与建议~谢谢 
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18个回答
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P mos管做BACK，不需要悬浮驱动，但是你这样是不行的。
上管栅极 居然是10K放电，设想一下，P mos管栅极电容为接近1nf，不算等效Qg，你下面N mos关断时候，上面栅极的-12V需要18uS, 才能放电到-2V截止电压。这样的关断速度，做开关电源，你不发烫才是不正常的。 模电基础没学好，得回去补课了。 顺便说一下，驱动的单反相器，能力只有20ma，驱动一个700P电容的方波负载完全不科学，用在这里就是鸡肋。**工作损坏的可能很大。不信你可以用示波器测量一下N mos管栅极波形，肯定也是软的不行，而且波形严重失真。 |
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实在是太感谢您了，您说的没错，就是因为关断时间太长导致发热，现在使用500欧的电阻，关断上升时间是2us，发热的情况已经改善非常多，十分感谢您 我还想问您一下，我尝试了100欧的电阻，上升时间能提升到400ns，可以说效果非常好了，可是，这个电阻本身损耗已经达到将近1W，0603热的冒烟，猜想应该Pmos驱动不是这样设计的，所以想问问您，在Pmos驱动电路上有没有别的建议~实在是感谢 |
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使用推挽式的电路
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这样就可以了，本来这里Q1不需要用N-MOS管，一个8050就够了，至少驱动可以直接接单片机就OK了。 这里考虑到你芯片用的是N-P互补mos管，才修改成这样的。 为什么加一个8050和4148到2K电阻，就可以既提高了速度并且降低R3功耗，自己自己去理解吧。 |
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但是这样的话开关频率就上不去了吧
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2019-3-21 09:24:58
评论
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那你的意思是频率的瓶颈是三极管还是二极管导致的？
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任何器件都有速度限制，这里4148速度非常快，不需要顾忌，最大的限制是和单片机相连的8050，由于有NPN管子的饱和效应，会产生一定的关闭延迟，这个在线路里面也很容易解决，在R4并联一个几百p电容，就可以做到基本无延迟关闭，至于Q3，只工作在截止和线性区，速度完全不是问题。 这个线路优化好了，做几百KHz PWM驱动完全不是问题，毕竟其开关沿都是在百纳秒档次的。 我也不明白8楼所谓的速度上不去是什么概念。 |
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2019-3-21 09:27:37
评论
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要测量 MOS管 VG VS的波形 更好**, 我上次是因为调整了输出 电感没改 所以很热. 10UH 要有那么多
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加不加那个1n，不会改变波形速度，波形不会变难看，但是不加的话，会导致后面的占空比被展宽，最后导致输出最小占空比受影响。由于是倒相驱动，所以到输出开关管看，其实是最大占空比受影响，如果最大占空比稍微受影响並不敏感，那么完全可以不要这个电容。
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考虑到你芯片上面还有一个N MOS，更进一步的，为深刻理解和实验，其实你可以用N MOS管来代替D3，单片机另外一路同步的PWM，经过死区延时校正，直接驱动该MOS管，做一个同步整流的BUCK系统，前提是单片机或者驱动芯片能够有另外一路可控的同步PWM输出，注意驱动的相位。
不是单片机驱动的，或者端口硬件不够的，那就免了。 |
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是单片机驱动，我看到介绍同步整流时，总是强调大功率电路中才要使用，这次这个满负荷可能也就10W左右，所以没有用到同步整流，不过这个以后肯定要 做一个试试，毕竟现在的单片机有PWM的总是提到自己有死区控制，也一直想试试呢。
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你好，请问L2是怎么选取的，按照DCM临界工作模式计算吗？
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直接搜BUCK电路，电感选取公式就有好多文章 不过我的电感选择依据的是10*10尺寸的电感能过2A以上电流选择的，能选的电感量都不大 但是控制开关导通闭合的速度是单片机控制的，电感量虽然小，但是我可以提升开关速度。 电感量对我来说，不敏感
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mos管发烫的原因是你的压降太大，导致功耗大，就发热了，把pwm的频率提高试试
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