200V100AMOS现货IXTN110N20L2技术参数

2019-2-15 16:56:53 1419

0 `海飞乐技术200V100AMOS管现货替换IXTN110N20L2。 200V100AMOS现货IXTN110N20L2技术参数产品种类: MOSFET RoHS: 符合技术: Si 安装风格: Chassis Mount 封装 /箱体: SOT-227-4 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 200 V Id-连续漏极电流: 100 A Rds On-漏源导通电阻: 24 mOhms Vgs th-栅源极阈值电压: 4.5 V Vgs - 栅极-源极电压: 20 V Qg-栅极电荷: 500 nC 工作温度范围: - 55℃~150℃ Pd-功率耗散: 735 W 通道模式: Enhancement 封装: Tube 高度: 12.22 mm 长度: 38.23 mm 宽度: 25.42 mm 正向跨导 - 最小值: 55s 下降时间: 135 ns 上升时间: 100 ns 典型关闭延迟时间: 33 ns 典型接通延迟时间: 40 ns 单位重量: 30 g ` 0 本帖子中包含更多资源您需要登录才可以下载或查看，没有帐号？注册 x
2019-2-15 16:56:53　　评论淘帖0 举报相关推荐 • NTD32N06L的技术参数 3301 • NTD32N06L的技术参数 3870 • 2N6508G的技术参数 3824 • SA556N的技术参数 3305 • 海飞乐技术现货替换IXTN240N075L2场效应管 559 • [转帖]MC100LVEL32DG的技术参数 2906 • MC100LVELT22DG的技术参数 4465 • 1N6276A的技术参数 2109 • 1N6276A的技术参数 4880 • 快恢复模块DSEI2x31-10B现货技术参数 658