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稳定VGS电压，和自举没一毛钱关系。
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有一本書叫做 ：加速電容； 上電瞬間讓MOS G S電壓相同 而關閉，否則G電壓稍低于S，導致MOS輕微導通；
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1 条评论
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上電瞬間S的電壓就建立， 而G的電壓要RC delay 后才會建立，即330K電阻和GD極間電容和一些其他的雜散電容；所以G相對S會有延時電壓差；
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1、防止上电瞬间MOS管漏电或瞬间浪涌产生高的VGS;: M$ G4 A1 y: `0 x
2、与R142组成RC延迟放电电路让MOS管延迟开关，以针对MOS开关前级电源负载响应差的对策或针对MOS管开关后级某些有上电时序要求的电路；此做法需先确定负载电流大小再考虑RC时间和MOS管的功耗。 |
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这个电容的确很有用，不然Vgs可能短暂导通
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如果电流大的话开关频率很高的话加这个电容是不允许的，因为这样它开关会有上升沿和下降沿，会有放大区，管子会发热
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如果这个管子是充电回路里面的，为了让流过管子的电流稳定，一般会在GS之间加这样的一点电容来稳定VGS电压。如果这个管子只是用来做loadswitch的话，那么这个电容还能起到soft start的作用，也就是缓启，防止出现inrush，原理就是当输入电压也就是S端电压上点瞬间，电容相当于短路，那么GS电压在那一瞬间基本是为0的，随着RC时间的推移，电容两端也就是VGS电压会逐步建立，管子逐步导通，从而达到SS的目的。
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如图这是一个P沟道增强型MOS，导通时需要Ugs
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这个小小的贴片电容的作用，上面说的没一个是对的，这里放104，本身电路就是设计错误！折中只能放103，有谁想知道真正的原因可以问我...
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减小米勒效应，好像是这个作用
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