完善资料让更多小伙伴认识你，还能领取20积分哦， 立即完善>
3天内不再提示
|
本人拙见，没有12V的情况下，100V漏过来的电压会使Q701的SG电压大大超过20V极限电压而损坏，你可试试在R710上并一支12V的稳压二极管。
|
|
|
|
|
|
二集管的逆向電壓承受力剛好是 100V，你標的 100V 宮殿式有多接近 100V？
是什麼樣的 100V？AC 還是 DC？ 如果是 AC 整流成 DC，是怎麼做的？- |
|
|
|
|
|
说一下的我的看法,如果有不对的地方,请大家指正.
二极管在12V断电的时候是反向的，由于阳极处于悬空状态，没有嵌位，所以100V可以传到MOS管的D端；MOS管的资料上有个指标 VDS最大100V，开机瞬间100V如果有个毛刺或者过充很容易导致MOS管子烧坏。 |
|
|
|
|
|
100V供电，实际使用电源只有90V。这个12V,及100V供电都是指的是直流
|
|
|
|
|
|
从R701由100K改为10K有好转来看觉得还是GS烧坏的可能性大点，可以换回100K用示波器抓下Q701导通瞬间Vgs瞬间的波形。另外R701可以并一颗小电容看看有没有效果
|
|
|
|
|
|
mos管的源栅电压一般是10V，极限是20V，在有12V电压时，100V电源由二极管漏过的电流被12V电源吸收，不会对MOS管造成影响。但12V悬空，100V电源由二极管漏过来的电流在R710得到一个较高的电压。如果超过20V就有可能损坏P-MOS。改变R710的阻值，也可改变R710上的电压，有一定的效果，但解决不了根本问题。所以常规办法一是在源栅加稳压二极管限压，二是在PMOS至二极管间对地加电阻吸收漏电流。
|
|
|
|
|
|
你好，请问一下，如果在PMOS至二极管间对地加电阻吸收漏电流，这个电阻选多大比较合适，电阻选的太小会导致机器12V供电时机器工作电流增加，如果电阻值选大会不会又起不到很大工作呢。
|
|
|
|
|
|
D703阳极端接电容到地看看会咋样
|
|
|
2019-1-21 17:59:36
评论
|
|
你正在撰写答案
如果你是对答案或其他答案精选点评或询问，请使用“评论”功能。
519 浏览 0 评论
782 浏览 0 评论
为什么在频率为10^3 Hz处，产生的相移就可以确定约为-90度
1444 浏览 1 评论
【高手问答】电路的功能是为了0.6v到40v之间调压，运放发热严重
3837 浏览 8 评论
USB3.0 工业相机的传输速率是否受到电脑主板某些硬件的限制？
1273 浏览 0 评论
/7 
关注我们的微信
下载发烧友APP
电子发烧友观察
版权所有 © 湖南华秋数字科技有限公司
电子发烧友 （电路图） 湘公网安备 43011202000918 号 电信与信息服务业务经营许可证：合字B2-20210191
工商网监
湘ICP备2023018690号
3113
淘帖
7403
赞
