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本帖最后由 toofree 于 2018-6-5 15:06 编辑
因为楼主要读取一个数据表格，因此这里只分析读取的，不管写入的。 必须是内部Flash快呀。 用内部Flash的话，800个字节，顶多跨一页，如果你存的合适的话，都不用跨页，一把连续读回来。读flash是用的ICODE指令，尽管中间可能会需要插入适当等待，SYSCLK时钟慢的时候是不需要等待的，读一个字节，那都是小于us级的。读800个字节，也许都不会超过1ms。 外部EEPROM慢。来个比较快的EEPROM AT24CM01，最快1M的时钟。每页256字节，800字节，需要跨3页，也就是中间至少需要两次停止。一次停止到下一次开始，需要最大5ms间隔，不算出地址和读命令，仅传输数据至少需要用时800*8*（1/1Mhz）=6.4ms，也就是一共需要16毫秒多。 |
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毫无疑问，Flash
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都差不多，因为不管是flash还是eeprom，写一页都需要5ms或者10ms时间等待。。。当然了，flash有一个好处，就是有的一页是1k或者2k，那么只需要一次就写完，问题来了，这时候占用的ram也是比较大的！！！而eeprom有8，16等等，需要的ram少，但是需要写入的次数多。。。所以选择什么，自己更具实际情况来就好了！！！
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读肯定是自身的flash快啊，外部IIC太慢了。
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jfuwre 发表于 2019-1-8 07:00 他说的是外部I2C的E2PROM |
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应该是内部的快，外部串行总线的话，速度还是受限制的
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我这里就是包括了外部的eeprom。。。我说的时间并不是指写入时间，而是写入完后，需要等待的时候，无法连续写入的。。。至于I2C的速度相对于等待时间来说，小意思啦！！！ |
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应该是内部FLASH更快，不过具体到项目中就要考虑很多了，真的有必要为了快那么多选择消耗芯片擦写次数吗？等等。。。
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