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图中的电路是实现Sys_3V3控制4V（电池）的输出，我按照以往的经验设计，将R98,R99定为10KR，但是调试（MMBT3904调试时换成IRLML2502的NMOS管）发现Q13/Q14导通后，消耗的电流太大了，40+uA，只计算图1的电路，Cell_out的后续电路没有计算我就将R98,R99的电阻改为560KR，发现电路也正常，此时大概7uA。我想知道，我把R98,R99改这么大会有什么后续问题么？再改大呢？ 
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为什么需要Q13 Q14两个三极管，只用一路不可以吗？
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Sys_3V3高的时候，Q11不导通，低的时候导通，有更优的电路么？求指导
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这个电路用来做什么的啊？ 只是个开关？ 还是缓起？
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就是开关
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如果只是个开关，那就不用那么复杂，MOSFET要注意RDSON要尽可能小， 另外电阻改大有没什么问题我觉得。
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不明白，指点一下？
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为了更方便与更可行，我会用MOS+三极管来控制，当然会加个100NF的电容
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我现在就是这样啊，就是电路静态电流大了，想找优化方法而已
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R98和R99使用560k是没问题的。但是这个电路是可以优化的，如果只是实现开关功能，Q13与Q14使用一个三极管就可以实现，比如使用Q14，删除Q13与R98，Q14的集电极与PMOS的栅极串接100R电阻，并且在R108与电阻R99上各并联一个0.1uf的电容，增加这个缓启动有利于压制瞬态电流。否则在Q13与PMOS管导通的瞬间瞬态电流过大会导致4V电流塌陷
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很好做的，你可以深入调试确认下。
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一、
Q13、Q14，总是只有一个管子是导通的。所以，不论采用NPN三极管还是NMOS，消耗电流大致相等。 R88、R99 为10k时，电流大约400uA，不是40uA。 R88、R99 为560k时，电流大约7uA。 二、 请注意，图中电阻值的【K】，是错误的。应当写作【k】。 三、 R88、R99 电阻值的选取，必须根据要求行事，不是想怎么样就怎么样，没有了规矩。 除了你已经注意到的同耗电有关外，例如，还同速度有关。 要求速度快的，取较小电阻值； 没有速度要求的，则可取较大电阻值； 更有甚者，为了缓启动，还要加上电容。 。。。。。。 |
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加大电阻会导致动作变缓
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