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3天内不再提示
如图所以，问题也描述在图上 1.去掉负载，问题依旧存在 2.更换PMOS，问题依旧 3.更换NPN，问题依旧 4.示波器捕获IO口和LDO的输出，纹波没问题 5.将R7改为200K,R9改为0R，问题依旧 7 s3 a; y- J% `. E* w6.将R7和R9都改为200K,电路工作正常 ;
猜测原因 1.分压后，PMOS的开启电压由原来的Vgs=-3.3V至Vgs=-1.65V，漏极电流Id大约由3A至1.8A； 2.NPN的管，工作状态异常？无法说出个所以然来…… 3.下图是单位nC，我的理解这个量级也不会引起整个现象 
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12个回答
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每次只要一发求助问题的帖，然后思路就清晰了，也就很快解决了。。
解决思路 1.通过现象分析后，既然通过电阻分压就解决，那么很可能是由于PMOS的开关导致的， 2.如帖描述，通过分压减少的了Drain端的驱动能力，那么很可能是开关的瞬间导致的 3.通过在R7和R9之间的点，并联电容到地。 那么在初始态，电容通过S端过R7充满电，当IO口拉到后，NPN管导通，PMOS管的G极由于R9和C的存在，Vgs有一个缓慢由0V到-3.3的过程，其中到达Vt后，管子导通，并且逐渐使Id到最大。降低了开关瞬间对电源的冲击。! |
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能不能说清楚你最后怎么改进的，直接贴图学习一下
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在R7-R9之间加了100nF电容到地
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学习了 我也用了NPN控制PMOS 还没开始调试
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2018-12-27 11:42:56
评论
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2018-12-27 11:43:04
评论
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三极管***
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这个图画错了， PMOS右边G和D之间少了个电容，没有inrush control的作用这个图画错了， PMOS右边G和D之间少了个电容，没有inrush control的作用
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R7上并个0.1UF的104电容试试。做成缓起电路。不然上电太快，冲击电流太大。
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这个现象应该是由于PMOS后端的电容引起的，PMOS导通的一瞬间，电容的充电电流很大
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建议楼主在R7两端并联电容试试看
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1.如果R9取值100k.R7取值200k,也是可以起到缓起的作用，我是这样理解的，初始状态，由于结电容Cgs两端都是3.3V.，所以PMOS管不会导通，当IO口给高电平，三极管导通，3.3V给Cgs充电，因为电容两端电压要升高，所以Cgs下端电压会下降，当下降到Cgs两端电压达到开启电压时，PMOS管才导通，而R9正好是Cgs的放电回路阻抗，所以R9取值合适，那么PMOS开启将会延迟一些。2.IO口出来一般都要接个限流电阻到B级，最好可以加下拉电阻，保持初始状态三极管不会误导通。
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2018-12-27 12:58:43
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