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R3 用330R可能好些，光耦的LED压降大约有1.8V，用1K的话，可能不到2mA电流。用330R估算下来是大约有6mA左右电流，比较可靠些。.
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电阻我用1W的82欧试好几次了，没烧断，连续对1万uF电容（33V）放电三次后，只温热一点。主要是手头没有2W，3W的。所以评估下来那个MOS管更不在话下，毕竟不是长时间的电流。今天发板出去，等板回来试试。你说的那些其它电阻值到时我再调调吧，我看你那1M对我来说确实大了，难怪你电压那么高。我的AC6V和 那个主电是同一个变压器。
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刚才算了下，32V条件下，泄放电阻用100R，MOSFET功耗会超过极限，用200R或220R就可以了。
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哦，好的，等一下我试一下。
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同一个变压器就不用担心这个问题了。
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MOS管资料可能你查到的和我的不一样，我这是号称40V，8.9A的，33V/82欧才400mA，我觉得我都可以用47欧电阻来放电。
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耐压、最大允许电流这些参数都有余量，不是需要担心的问题。
但是极限耗散功率有可能是问题。 电容储能的泄放通道有两个组成部分：A）100R电阻， B）MOSFET沟道电阻 A）有很高的耐短时突发过载的能力，不用担心 B）完全导通时沟道电阻是20毫欧，只分担极其轻微的功耗，也不是问题。 但是，MOSFET沟道从截止到20毫欧的转换，是需要时间的，沟道电阻是要经历从几十兆欧、千欧、百欧，欧这个过程。虽然时间不长，也许几十毫秒，一百毫秒，但是如果期间发生所分担的功耗超过了极限允许功耗，器件就可能发生破坏。 按照欧姆定律，定压纯电阻回路当可变负载的阻值等于电压源内阻时，负载得到最大电功率。在我们电路中，把100R电阻看作电源内阻，那么当MOSFET沟道电阻达到100R的瞬间，它分担的功率达到最大值。我们可以把这个最大值作为最坏情况来考量。具体数值很容易算 根据P=U^2/R ，每个MOSFET此时的功耗是 【（32*32）/（100+100）】/2 这个MOSFET是双管，所以整个器件此时的功耗就是 （32*32）/200 = 5.12W 对于极限允许3W的器件，只要时间足够短或占空比足够小，5.12W的短暂功耗也是可以安全工作的。但是我们对工作条件掌握很有限，数据手册也没有给出安全工作区和击穿曲线数据，所以安全可靠起见，就按直流设计，加倍泄放电阻到200R，这样MOSFET的最大可能功耗就是 （32*32）/400 = 2.56W |
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原来如此，长见知识了，用200R放电时间能短于功放机出来的POP声音那是最好不过。---------另外有一事还不明，那么MOS管几乎都工作在开关状态，照这样说来，原来它标的40V，8A （=320W），那不等于玩文字游戏了吗？实际上我们只能用到3W左右才行才安全？可能是我对耗散功率还没弄清。也就是说我要怎么样才能安全地用到40V，5A，但此时它功耗又只有3W, 难道厂家标的40V 8.9A是要分开理解，截止是可到40V，但8.9A时只能很低电压？
----------------- 我的理解是最大耗散功率是指持续的（表面温度一般不要超85度比较安全），只要温度没上来，电流没超厂家给的值，就是安全的。所以这个电路很难让这个MOS管烫起来。毕竟一个功放机不可能短时间内频繁放电。 |
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“ 40V 8.9A是要分开理解，截止是可到40V，但8.9A时只能很低电压 ”-----对的。你注意到MOS管几乎都是用于开关态工作，已经就回答了自己的疑问。什么是开关态工作？就是高压无电流、高电流无电压两种状态来回跳。这两种状态之下器件没什么功率耗散，主要的功率耗散发生在状态转换的过渡过程。
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“ 我的理解是最大耗散功率是指持续的（表面温度一般不要超85度比较安全），只要温度没上来，电流没超厂家给的值，就是安全的 ” ----温度是平均耗散功率的表现，但平均功率超过极限并不是过载损坏的唯一模式。
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刚注意到你好像是为了解决关机pop做这个放电电路，真这样的话我担心你会失望。解决开关机pop较妥当的办法还是做个上电、掉电检出电路，利用功放模块的mute端，或者去控制一个扬声器继电器。
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应该不会失望吧，实在不行我用它去拉调音板的电源或声音输出，现在POP声音是调音板输出的，功放（TDA7294）的Mute功能已启用。但时间上调不好，调音板这个POP声音输出太滞后了。
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不错，很好的经验分享，辛苦麻烦了，欠缺这方面的资料，非常感谢。
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