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估计跟结电容有关吧
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两颗B丶E间都并联电阻,就可以了,吸收漏电流。
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同意二楼坛友的见解,理想与现实的差别
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PNP和NPN三极管构成的自锁电路,如同可控硅的双晶体管模型。
一旦给过门极(Q1基极)信号,电路立即导通;即使撤销门极信号,也仍然导通;只有电流低于维持电流或断开电路一下,才能复位,回复到截止状态。所以将其称为“自锁电路”。 像灵敏型的可控硅一样,它可能出现误导通的问题。 【是不是因为使用的器件都是理想状态导致的呢?】 不是。 如果仿真使用的器件模型是理想的,就不会出现自行导通的问题了。 正因为仿真模型不是理想的,也有漏电流存在,所以,像灵敏型可控硅一样,漏电流从阳极(Q2发射极)流入门极(Q1基极),就足以使可控硅从阳极(Q2发射极)导通到阴极(Q1发射极)了。 为避免三极管的漏电流效应造成的误导通,可以在发射结并联旁路电阻,降低自锁电路的触发灵敏度。 较低的旁路电阻为漏电流提供流出的路径,可以改善阻断和关断的能力。 |
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使用NDT2955代替2N6804,有没有人帮忙分析一下无输出的原因和能否替代?
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