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估计跟结电容有关吧
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两颗B丶E间都并联电阻，就可以了，吸收漏电流。
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同意二楼坛友的见解，理想与现实的差别
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PNP和NPN三极管构成的自锁电路，如同可控硅的双晶体管模型。
一旦给过门极（Q1基极）信号，电路立即导通；即使撤销门极信号，也仍然导通；只有电流低于维持电流或断开电路一下，才能复位，回复到截止状态。所以将其称为“自锁电路”。 像灵敏型的可控硅一样，它可能出现误导通的问题。 【是不是因为使用的器件都是理想状态导致的呢？】 不是。 如果仿真使用的器件模型是理想的，就不会出现自行导通的问题了。 正因为仿真模型不是理想的，也有漏电流存在，所以，像灵敏型可控硅一样，漏电流从阳极（Q2发射极）流入门极（Q1基极），就足以使可控硅从阳极（Q2发射极）导通到阴极（Q1发射极）了。 为避免三极管的漏电流效应造成的误导通，可以在发射结并联旁路电阻，降低自锁电路的触发灵敏度。 较低的旁路电阻为漏电流提供流出的路径，可以改善阻断和关断的能力。 |
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