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1、整个CFR寄存器和RAM 0x16地址和burst profile0-1控制模式和波形时序如下:
2、CFR寄存器配置完成后,update,然后开始配置ram profile0和ram profile1. 3、写入RAM 0x16地址过程中,profile0-1切换时,SCLK保持低电平,ram profile0切换至ram profile1完成后,才开始下一个ram profile1的地址和N个数据连续写入。Profile0-1切换写入ram过程中CS一直为低电平。 4、ram profile0-1 (地址0x16+N个数据)分别写入完成后(其中,我ram profile1最后一个ram地址写入的频点值是0,也就是不输出频点,以防在终止地址寻址完后,有频率输出),update,再写入其他CFR寄存器。配置模式为burst profile0-1模式。 结果为:ram burst profile0-1模式,出现了profile1设置的扫频点,profile0没有扫频点输出。profile0-1正确寻址扫频了,输出了两个profile切换时的波形,但频点值都是profile1的频点值,而且是扫频结束后,停留到了最后一个频点值连续波形输出。profile0-1扫频时间和设置的扫频时间一致。而且正常输出幅度应该有400mV左右,但是该情况下输出的波形幅度只有200mV. 求助:我现在要把8个ram profile都用起来,用burst profile0-7模式。根据芯片工作功能,每次update后应该出现扫频波形。但是分析应该写入ram profile0-7过程中,profile切换或者CS或者SCLK时序没有控制好。 请求各位用过该功能的朋友帮助! 附注:如果我将寄存器模式改为ram profile0-2,而第三个ram profile并没有配置时,却近似达到了我想要的效果。但是频点值依然为profile1配置的频点值。 附件
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2个回答
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没人回答呢?
找到问题根本原因: 1、RAM 存储空间只有1024depthx32bit。而不是8个ram profile就有8x1024depthx32bit这么大的存储空间。8个ram profile只是共享一个ram存储空间而已。 2、Burst ram profile0-1扫频完成后,会在ram profile1的最后一点驻留。即突发模式默认非驻留寄存器不使能。 同时写入数据时序和扫频输出方式有所不同。由于采用MSB模式写入ram 数据,所以实际上时序上写入的第一个数据0,是地址0x16对应数据的最后一个频点值,即终止地址;而写入的最后一个数据N-1,是地址0x16对应数据的第一个频点值,即起始地址。 在写入过程中,ram profile0的地址0x16+N个数据写完后,片选CS并不能拉高,而是接着写ram profile1的地址0x16+N个数据。写完后CS才最终拉高。 3、非线性调频burst profile0-1模式。将时序上profile1的第一个点(即加载至实际ram的终止地址的数据),设置为0频输出。这样扫频到ram profile1的终止地址时,会驻留在零频输出。 |
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不不gudh 发表于 2018-12-3 13:23 谢谢您分享调试经验。 |
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只有小组成员才能发言,加入小组>>
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