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嗨,我们正在使用SST26VF064 B闪存在我的项目中。我们使用LPC1548控制器作为主控器,闪存作为从属设备。写和读没有问题。它工作得很好。但是当我想在闪存的位置上改写单字节(unChar Car)时,我想擦除闪存的最小4 KB(谈论扇区擦除)。当我在互联网上学习的时候,我们应该在写操作之前擦除那个特定的内存。我的问题是,我能在闪存中写入一个字节而不擦除它吗?提前感谢,问候Iyyappan。
以上来自于百度翻译 以下为原文 Hi, We are using SST26VF064B flash memory in my project. we are using LPC1548 controller as a master and the flash memory as a slave.There is no problem with writing and reading.It is working fine.But when I want to overwrite single byte(unsigned char) in a location of flash memory,i want to erase minimum 4 KB(talking about Sector Erase) of flash memory. When i studied on the internet,we should erase that particular memory before made a write operation. My questions is, Can i overwrite a single byte in a flash memory without erasing it? Thanks in advance. With regards, Iyyappan. |
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2个回答
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正常的规则是你可以用第二个写来改变1位到0位,但不是反过来。若要将位返回到1,则必须清除整个扇区。您可以使用该能力,作为检查正在写入的信息的数据完整性的一部分。即,将最后一位更改为信号完成,或者可以将每一位设置为零,作为时间的一部分。
以上来自于百度翻译 以下为原文 The normal rule is that you can change 1 bit to 0 using a second write but not the other way around. To return bits to 1 you must erase the whole sector. You might use that ability, as part of checking data integrity of the info you are writing. i.e change one bit last to signal completion, or you could set each bit to zero as part of something over time. |
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你是否碰巧知道那个规则适用于那个部分吗?数据表特别指出,在写入之前,它需要处于擦除状态,而其他制造商(例如ISSI)有数据表,它们的Flash明确规定了可以任意改写1s到0的规则。
以上来自于百度翻译 以下为原文 Would you happen to know if that normal rule applies to that part? The data sheet specifically says it needs to be in the erased state before being written whereas there are data sheets from other manufacturers (e.g. ISSI) for their flash explicitly state the rule where you can arbitrarily change 1s to 0s by overwriting. Thanks |
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