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用MOS管控制电容的充放电,电容分别接DS两端,S接地,G极控制,MOS管不通时,电容充电,导通时电容放电。不过放电时,电容两端电压全部加在了MOS管上,MOS管导通内阻在0.1欧姆左右,那电容相当于与一个0.1欧姆电阻并联放电,瞬间电流从200多A降到几毫安,mos管关于电流的参数主要有两个,持续工作最大电流IDM,最大单次脉冲电流IDM,这两个都不太适合来评价我的这种用法是否可行,不知道有没有什么方法来计算我的这种用法可不可行?我自己用硬件测试了几次,MOS管能正常工作没有烧毁,但不知道长久用下去会不会有影响。
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VIN 处是电感还是电阻
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