第三节:SIM卡电路电容设计的注意事项 1. 在SIM_VCC与SIM_GND之间加上1uF电容(重点三),作用是使SIM卡供电更稳定,防止SIM卡电压跌落。 2. 在SIM_RST,SIM_CLK,SIM_DATA与GND之间加上33pF电容,作用是滤除信号线上的干扰。(重点四) 第四节:SIM卡电路设计中TVS器件作用 由于SIM卡容易被静电损坏,加入TVS器件是为了防止在插拔过程中,或接触过程中受到静电,损坏(重点五)SIM卡。 第五节:SIM卡信号 Layout 走线建议 布局时尽可能的将SIM卡靠近模块,走线长度尽可能小于100mm。(重点六) 好啦,今天有关模组SIM卡相关秘籍,就先给各位交代到到这里,本章还由第二节的哈,这里就不准备拖堂了,下一期小编在和大家聊!想要了解更多模组相关的各位大佬,可以之直接文末留言或者添加小编微信公众号“中移模组”,欢迎加入我们一起交流! | |||||||||||||||||||||
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