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目前貌似改乱了啊，不改之前，还可以显示出好坏块，改成16位后，识别的都是错误的坏块了，
u8 NAND_ReadPage(u32 PageNum,u16 ColNum,u8 *pBuffer,u16 NumByteToRead) { u16 i=0; u8 res=0; u8 eccnum=0; //需要计算的ECC个数，每NAND_ECC_SECTOR_SIZE字节计算一个ecc u8 eccstart=0; //第一个ECC值所属的地址范围 u8 errsta=0; u8 *p; *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD) = NAND_AREA_A; //发送地址 *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR) = (u8)ColNum; *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR) = (u8)(ColNum>>8); *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR) = (u8)PageNum; *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR) = (u8)(PageNum>>8); *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR) = (u8)(PageNum>>16); *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD) = NAND_AREA_TRUE1; //下面两行代码是等待R/B引脚变为低电平，其实主要起延时作用的，等待NAND操作R/B引脚。因为我们是通过 //将STM32的NWAIT引脚(NAND的R/B引脚)配置为普通IO，代码中通过读取NWAIT引脚的电平来判断NAND是否准备 //就绪的。这个也就是模拟的方法，所以在速度很快的时候有可能NAND还没来得及操作R/B引脚来表示NAND的忙 //闲状态，结果我们就读取了R/B引脚,这个时候肯定会出错的，事实上确实是会出错!大家也可以将下面两行 //代码换成延时函数,只不过这里我们为了效率所以没有用延时函数。 res = NAND_WaitRB(0); //等待RB=0 if(res) { #if NAND_FLASH_DEBUG_SWITCH > 0U printf("NAND Wait 0 Error ?? rn"); #endif return NSTA_tiMEOUT; //超时退出 } //下面2行代码是真正判断NAND是否准备好的 res = NAND_WaitRB(1); //等待RB=1 if(res) { #if NAND_FLASH_DEBUG_SWITCH > 0U printf("NAND Wait 1 Error ?? rn"); #endif return NSTA_TIMEOUT; //超时退出 } if(NumByteToRead % NAND_ECC_SECTOR_SIZE)//不是NAND_ECC_SECTOR_SIZE的整数倍，不进行ECC校验 { //读取NAND FLASH中的值 for(i=0;i { *(vu8*)pBuffer++ = *(vu8*)NAND_ADDRESS; // 我吧这个 vu8 改成 vu16, u8 *pBuffer 这个定义的也改成了u16类型，其他没有改动，另外就是我需要读取的数据量 / 2 ， // 结果就不对了，也不知道是不是我的硬件 // 上有两个 引脚没有接电源，根据资料要求，16位的39脚接 vcc，48脚接gnd，搞硬件时忘记了接，芯片型号 // MT29F4G16ABAEAWP TSOP48 封装的 } } else { eccnum = NumByteToRead / NAND_ECC_SECTOR_SIZE; //得到ecc计算次数 eccstart = ColNum/NAND_ECC_SECTOR_SIZE; p = pBuffer; for(res=0;res { FMC_Bank3->PCR |= 1<<6; //使能ECC校验 for(i=0;i { *(vu8*)pBuffer++ = *(vu8*)NAND_ADDRESS; } while(!(FMC_Bank3->SR&(1<<6))); //等待FIFO空 nand_dev.ecc_hdbuf[res+eccstart] = FMC_Bank3->ECCR;//读取硬件计算后的ECC值 FMC_Bank3->PCR &= ~(1<<6); //禁止ECC校验 } i = nand_dev.page_mainsize+0X10+eccstart*4; //从spare区的0X10位置开始读取之前存储的ecc值 NAND_Delay(30);//等待tADL *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD) = 0X05; //随机读指令 //发送地址 *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR) = (u8)i; *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR) = (u8)(i>>8); *(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD) = 0XE0; //开始读数据 NAND_Delay(30);//等待tADL pBuffer = (u8*)&nand_dev.ecc_rdbuf[eccstart]; for(i=0; i < (4 * eccnum); i++) //读取保存的ECC值 { *(vu8*)pBuffer++ = *(vu8*)NAND_ADDRESS; } for(i=0;i { if(nand_dev.ecc_rdbuf[i+eccstart] != nand_dev.ecc_hdbuf[i+eccstart] )//不相等,需要校正 { printf("err hd,rd:0x%x,0x%xrn",nand_dev.ecc_hdbuf[i+eccstart],nand_dev.ecc_rdbuf[i+eccstart]); printf("eccnum,eccstart:%d,%drn",eccnum,eccstart); printf("PageNum,ColNum:%d,%drn",PageNum,ColNum); res = NAND_ECC_Correction(p+NAND_ECC_SECTOR_SIZE*i,nand_dev.ecc_rdbuf[i+eccstart],nand_dev.ecc_hdbuf[i+eccstart]);//ECC校验 if(res) errsta = NSTA_ECC2BITERR; //标记2BIT及以上ECC错误 else errsta = NSTA_ECC1BITERR; //标记1BIT ECC错误 } } } if(NAND_WaitForReady(0x2FFFFFF) != NSTA_READY) errsta = NSTA_ERROR; //失败 return errsta; //成功 } 
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6个回答
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参数定义均修改为u16进行定义吧；
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u8 NAND_ReadPage(u32 PageNum,u16 ColNum,u8 *pBuffer,u16 NumByteToRead) // 这个上面的 u8 *pBuffer 也改成了16 //读取NAND FLASH中的值 for(i=0;i { *(vu8*)pBuffer++ = *(vu8*)NAND_ADDRESS; // 我吧这个 vu8 改成 vu16, u8 *pBuffer 这个定义的也改成了u16类型，其他没有改动，另外就是我需要读取的数据量 / 2 ， // 结果就不对了，也不知道是不是我的硬件 // 上有两个 引脚没有接电源，根据资料要求，16位的39脚接 vcc，48脚接gnd，搞硬件时忘记了接，芯片型号 // MT29F4G16ABAEAWP TSOP48 封装的 } |
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7vyydyfwef 发表于 2018-11-9 13:18 确保读取RFID正确后，在进行其他功能开发； |
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我现在是当成8位来使用的，没有使用16bit，而且我的nand flash配置 也是8bit的，我在资料里面没有找到16bit读写的指令，也没有看到关于16bit的一些操作说明，目前使用 8bit 操作效果杠杠的， |
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7vyydyfwef 发表于 2018-11-9 13:41 厉害厉害； |
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