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选用了UTC6N10G,VGS(th) =1-3V ,驱动电压为5V,现在有两种方式,图1是把栅极电阻R1放在泄放电阻R2前,优点是不会对驱动电压造成分压,确保mos可靠开通,缺点暂时不知道。图2是把栅极电阻R1放在泄放电阻R2后面,这样的缺点是会对驱动电压造成分压,栅极驱动电压只能到4.54V。求大神帮分析下两种方式的优缺点,哪种更适合,另外这个栅极电阻取值是否太大,增加导通损耗,不过我们用了十几年这个值了,没啥问题,且mos不会经常动,偶尔才会动一下。
图1 图2 |
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