[模电]

请问低栅压NMOS泄放电阻和栅极电阻怎么摆放位置?

2018-10-23 11:07:38 2140 张飞 NMOS 电阻

0 选用了UTC6N10G，VGS(th) =1-3V ，驱动电压为5V，现在有两种方式，图1是把栅极电阻R1放在泄放电阻R2前，优点是不会对驱动电压造成分压，确保mos可靠开通，缺点暂时不知道。图2是把栅极电阻R1放在泄放电阻R2后面，这样的缺点是会对驱动电压造成分压，栅极驱动电压只能到4.54V。求大神帮分析下两种方式的优缺点，哪种更适合，另外这个栅极电阻取值是否太大，增加导通损耗，不过我们用了十几年这个值了，没啥问题，且mos不会经常动，偶尔才会动一下。图1 图2 0
2018-10-23 11:07:38　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 请问低栅压NMOS泄放电阻和栅极电阻怎么摆放位置? 6708 • 泄放电阻的原理泄放电阻大小如何选择 3764 • 泄放电阻的选型需求 87 • 泄放电阻电路分析 17287 • 泄放电阻器解释 424 • 泄放电阻器：它是什么，为什么使用它？ 710 • 电阻在MOS管电路中的注意事项及参考选择方法，泄放电阻和栅极电阻有什么区别？ 31130 • 飞轮储能系统充放电电阻-水冷泄放电阻选型参考 195 • 5种泄放电阻电路的介绍说明 36124 • 泄放电阻器的工作原理及其应用 10280 1 个讨论

0 您好，放在前面 1.GS的放电会慢，导致MOS关断会慢那么关断损耗就会大，导致MOS发热。 2.三态问题，第二种比第一种更抗干扰关于栅极电阻的取值不宜太大也不易太小，大了会增加开通关断损耗，管子发热，小了，容易震荡。可根据MOS开通波形去测试。

2018-10-23 14:03:42 评论举报 1^# 汪芳