模拟MOSFET以小时间步长收敛于线性模式

有些情况下MOSFET进入线性模式（来自非常高的栅极输入），它的Vds变得不稳定，并且从一个值到另一个值大幅摆动。
有时候，它会在一个收敛点上稳定或有时摆动“平均值”。
它发生得非常快，因此对于大多数用途，我们只需要简单的线性方程。
我希望能够在ADS中模拟这个。
实际上，在每个恒定VDC输入处，以非常小的时间步长（可能以纳秒为单位）查看摆动图。
所以我需要指导......我听说BSIM模型在MOSFET的电学特性方面非常准确。
虽然它主要用于IC设计，但我没有其他选择，只能使用分立元件实现我的设计。
即便如此，BSIM是否也是ADS的发展方向？
我还需要考虑或解决哪些其他问题？
我该如何设置？
谢谢。
编辑：ren_zokuken01于2016年2月17日上午3:36编辑：ren_zokuken01于2016年2月17日3:37 AM编辑：ren_zokuken01于2016年2月17日上午3:38



     以下为原文

  There are instances where the MOSFET gets into Linear Mode (from a very high gate input) and it's Vds becomes unstable and swings wildly from one value to another. Sometimes it settles or sometimes the swinging "averages" to a convergence point. It happens very fast so for most purposes, we simply rely on simply linear equations.

I want to be able to simulate this in ADS. Actually see the plot of the swings in very small time steps (probably in nanoseconds) at each constant VDC input. So I need guidance...

I've heard that BSIM models are very accurate in the physics of electrical properties of MOSFETs. Albeit it's mostly used for IC design, while I don't have a choice but to implement my design with discrete components. Even so, is BSIM the way to go in ADS?

What other things do I need to consider or work out? How do I set it up?

Thank you.

Edited by: ren_zokuken01 on Feb 17, 2016 3:36 AM

Edited by: ren_zokuken01 on Feb 17, 2016 3:37 AM

Edited by: ren_zokuken01 on Feb 17, 2016 3:38 AM