微控制器附近的电感器

请注意电源输出上的LC滤波器。如果您有负载瞬态，特别是在滤波器的谐振频率附近，您可能会出现大的过冲和振铃。你的输出端看起来像TVS钳位，但如果它具有3.3V的支持电压，它可能不会很快夹紧以保护半导体。

将滤波电感放在IC附近意味着它们可能耦合到由IC完成的切换，这会适得其反。IC和电感器之间的接地平面将是有益的。特别是“LC1”可以抵消你的模拟地面

要使LC滤波器有效，您需要知道：我尝试滤除的频率是多少噪声。滤波器是否在这些频率上提供所需的衰减。通常这很难或不可能确定。我会忘记LC滤波器并为VDDA使用专用线性稳压器，将VSSA直接连接到地。

电感器将MCU和外部XTAL暴露在非同步垃圾中，这会导致MCU时钟抖动。为什么？时间抖动= Vnoise / SlewRate。具有2vpp XTAL输出的10MHz xtal osc具有63万伏特/秒的SlewRate。假设这些电感器将0.1伏的垃圾注入XTAL与MCU的转换为正方波的接口。抖动为0.1v / 63Million伏/秒= 1.6纳秒的抖动。你能容忍吗？MCU onchip PLL乘法器，比如说20X到200MHz，可能会也可能不会正常处理XTAL抖动。

我使用的是8MHz晶体。我明白你的意思了。PLL为9x，可以正确计算抖动。此外，对于不切换高振幅的电感器，0.1V可能为高。

是的，过滤器是必需的。STM32使用模拟电源电压作为参考电压。因此，VDDA上的任何噪声都会最终成为测量中的噪声。
由于你的dI / dt较低，因此磁场很小，这应该不是问题。至少不应该有任何从电感到STM32的重要耦合。虽然可能会发生从STM32到电感的耦合，但我猜想增加的噪声会被ADC噪声所淹没。我不担心注入水晶。首先，除非你达到正确的频率，否则注入晶体（高Q元素）并不容易。另一方面，实际注入大量电流（或电压）需要大量电力。如上所述，电感器领域中没有太多能量。
你没有问的问题：你说的是1mV信号。STM32中的ADC无法解决这个问题，或者说除了ADC噪声之外你什么都得不到。3.3V量程上的12位分辨率意味着1LSB为0.8mV。您需要将信号放大至少1000倍才能测量任何信号。另外请记住，STM32 ADC已经非常嘈杂，以至于ST写了一些AppNotes，如何平均ADC样本甚至有机会达到广告分辨率。不幸的是，你不能过滤掉所有的噪音。因此，STM32的ADC最好被描述为GIGO系统。（有些STM32 ADC的ENOB为6bit！）
DB3位于UB1的错误一侧。您希望保护电路免受瞬态影响。如果瞬变通过DC / DC转换器并将其摧毁，您可能会在3.3V电压轨上获得完整的输入电压，这反过来会炸掉您的电路（DB3无法防止这种情况，因为它不导电或因为它会被油炸并可能形成开路。
CB1和CB2之间存在太大的价值差距。CB2（充当电容器）和CB1（充当电感器）的谐振可能会导致EMI。要么添加至少33nF电容或更好，10nF和100nF。CB3可以被IMHO省略，因为模块电容上的模块已经阻止了那些高频。或者，您可以选择其中一个Murata EMIFIL直通电容器，它具有更高的自谐振频率，因此可以取代一些较小值的电容器步骤。
LB2可能会引发EMI问题，除非您非常清楚如何设计接地路径。最好将其取出并仅过滤电源导轨。
您确实希望在UB1和LB1之间添加至少1nF，10nF 100nF电容。否则，LB1的短线和LB1的杂散电容将导致EMI问题。
LB1（如果没有除去则与LB2一起）和CB4形成谐振电路。除非它的共振频率超出你所产生的一切（非常不可能），否则会产生共振效应（正如John D在上面的评论中提到的那样）。你应该添加一个适当大小的RC缓冲电路来抑制这种共振。

非常感谢您的考虑。关于1mV信号，我认为我没有说清楚。信号从0到3.3V，但它的分辨率为1mV。你对DB3是正确的。图片没有显示，但我在UB1之前有一个过压保护电路。我按照你所说的改变了电容器。你对LB2的意思是什么？电源的GND通过轨道到达LB2，然后我使用地平面。飞机远离MP1584的电路。我知道共振，这对我的建议是好的。我只是不明白为什么LB2可能导致EMI