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二次离子质谱分析仪 (SIMS)
二次离子质谱分析仪 (Secondary Ion Mass Spectrometer, SIMS)主要是利用离子高灵敏度的特性,针对样品的表面微污染、掺杂与离子植入的P/N浓度定量分析,以及P/N接口扩散的研究。广泛应用于半导体、LED,以及薄膜材料的微量检测分析上。 iST宜特检测的SIMS高分辨率,除了针对离子植入、掺杂量的P/N浓度定量分析外,还可进行P/N接口扩散的深度分析(Junction Depth),以及BULK材料中微量元素的浓度分析。为您精准控制半导体/LED制程的参数,以维持元件/磊晶稳定性。 iST宜特检测服务如下: 高质量解析力(M/ΔM):>20,000 高纵深分辨率:小于2nm/decade 超高真空度:低于1E-9mbar (Ion on) 极佳侦测极限:可达1.0E13atom/cm3(ppba)以下(Si 基材之As掺杂) |
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