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IC发生EOS快速找烧毁区进行电路修改的步骤

2018-8-22 10:34:14 6427 IC设计

0 IC发生EOS，该如何速找烧毁区，快速进行电路修改？静电无所不在，当组件遇上了超过所能负荷的电压或电流时，组件很容易就烧毁，造成EOS(Electrical Over Stress,过度电性应力）问题。成品厂出货在即，组装厂压着IC设计快点给出Solution(解决方案)，身为IC设计者的您，该如何速找烧毁区，以便进一步进行电路设计修改? 本月宜特小学堂，将手刀奉上经典案例，简单三步骤，让您组件EOS异常点无所遁形。第一步骤：寻位置在组件通电的状态，且不破坏样品的原貌下，利用Thermal EMMI故障点热辐射传导的相位差，侦测封装的故障点，并快速定位故障点XYZ坐标位置。第二步骤：找脱层有EOS问题的组件多半带有高温毁损，易将该区的IC表面及封装层击伤，因此在EOS位置容易扫出脱层现象。利用非破坏SAT超音波的方式进行扫描，找出封装体脱层位置与Thermal EMMI故障点位置一致。第三步骤：取晶粒在针对SAT与Thermal EMMI故障点位置进行取晶粒(die)后，再利用OM数字显微镜进行外观检查，即可快速正确地找出EOS烧毁区域是在 Die表面与黑胶之间。 0
2018-8-22 10:34:14　　评论淘帖0 举报相关推荐 • eos编译及出矿步骤 1417 • BOOST电路输出振荡，IC烧毁 14055 • EOS Dawn 400的环境搭建步骤 1246 • led灯烧毁以及ic烧毁问题 5368 • 烧毁DC/DC电路问题 14 • 大鹏区回收IC集成电路大鹏区IC集成电路回收 796 • Protel DXP批量修改的原理和步骤 2355 • IAR快速修改工程名称 2 • 集成电路(IC)设计之后端设计步骤 20346 • 已执行过FIB电路修改及焊接测试的WLCSP IC样品，还可以二次进行电路修改吗? 2165