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TN-45-30
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本帖最后由 PseudoSRAM 于 2016-12-9 23:03 编辑
IPS3240JSQ, SOP-8封装,4MB,支持SPI、Quad SPI接口,最高时钟104MHz 最重要的价格:小几毛美金 |
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还没用过,帮顶
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品牌:美国赛普拉斯(Cypress)
型号:CYK512K16SCCA 特性: ◆先进的低功耗 MoBL(More Battery Life)架构。 ◆高速运作性:55nS、70nS(奈秒)。 ◆宽裕的运作电压范畴:2.7∼3.3V。 ◆运作中的耗用电流(典型值):2mA(工作频率为 1MHz 时)。 ◆运作中的耗用电流(典型值):11mA(工作频率为最高频率时)。 ◆待备(Stand-by)时低功耗。 ◆芯片未被选择到时自动进入低功耗(Power-Down)状态。 ◆适合手机之类的手持式应用。 德国奇梦达(Qimonda)-HYE18P128160AF-12.5 ◆1.8V 的核心电压与 I/O 电压。 ◆合乎 CellularRAM 1.0、1.5 规范的标准。 ◆针对无线应用而设计。 ◆可用「异步/分页模式」或「同步爆发」模式运作。 ◆异步工作时的存取间隔为 70nS/85nS。 ◆同步爆发(Sync burst)模式运作时可达 66MHz/80MHz/104MHz。 ◆免刷新(Refresh)的运作。 ◆直接在芯片上设置温度传感器。 品牌:美国美光(Micron) 型号:MT45W8MW16BGX 特性: ◆合乎 CellularRAM 1.5 规范的标准 ◆支持异步、分页、以及爆发等模式的运作 ◆随机存取时间:70nS ◆合乎欧洲 RoHS 规范与大陆 RoHS 规范 ◆核心电压工作范畴:1.7V∼1.95V ◆I/O 电压工作范畴:1.7V∼3.3V ◆适合的应用:医疗、商业与产业、车用、安全、行动、扫描仪 ◆适合的应用:导航定位、测试与量测、消费性手持式装置、电信 品牌:***钰创(Etron) 型号:EM567168BC 特性; ◆记忆组织:2M x16。 ◆快速的周期时间:55nS、70nS。 ◆待备(Stand-by)状态下的用电:100uA。 ◆深度低功耗(Deep Power-Down)下的用电:10uA(数据不可存取)。 ◆数据存取宽度的控制:LB#(DQ0∼7)、UB#(DQ8∼15)。 ◆相容于低功耗的 SRAM(Low Power SRAM)。 ◆单一的供电电压:3.0V 正负 0.3V。 ◆封装型态:48 个接脚,FBGA 封装,6x8mm 尺寸。 品牌:韩国JSC 型号:EM7164SU16 特性: ◆记忆组织:1M x16。 ◆工作电压范畴:2.7V∼3.3V。 ◆分立的 I/O 供电(VccQ)与核心供电(Vcc)。 ◆三态输出(高、低、浮接)。 ◆透过#UB 接脚、#LB 接脚可控制字节(Byte)的读写。 ◆运用#ZZ 接脚可支持直接深度低功耗(Direct Power Down)控制。 ◆自动化的 TCSR 可节省用电。 ◆芯片封装方式:48 个接脚,FPBGA 封装,6.0x7.0 尺寸。 品牌:南韩海力士(Hynix) 型号;HY64UD16322M 特性: ◆记忆组织:2M x16。 ◆CMOS 制程技术。 ◆逻辑准位兼容于 TTL,并具备三态(Tri-State)输出。 ◆深度低功耗(Deep Power-Down)模式。 ◆标准的接脚组态配置:48 个接脚,FBGA 封装。 ◆透过/LB、/UB 接脚可行使数据屏蔽(Data Mask)功效。 ◆工作电压范畴:2.7V∼3.3V。 ◆工作温度范畴:摄氏-25∼85 或-40∼85 度。 南韩 Silicon 7-SV6P3215UFB ◆标准的异步 SRAM 接口。 ◆已历验证的 Silicon CompactCell SRAM 可用于高密度、低功耗与成本取向的应用。 ◆记忆组织:2M x16。 ◆工作电压范畴:2.7V∼3.3V。 ◆封装方式:48 个接脚,FPGA 封装。 ◆逻辑准位兼容于 TTL,并具备三态(Tri-State)输出。 ◆适合的应用:手机、PDA、以及其它用电池运用的消费性产品。 ◆运作上可选择正常(Normal)模式或双 CS(Dual CS)模式。 品牌:南韩三星半导体(Samsung) 型号:K1S56161CM 特性: ◆使用 CMOS 制程技术。 ◆记忆组织:16M x16。 ◆内部的 TCSR。 ◆工作电压范畴:2.7V∼3.1V。 ◆存取间隔速度:70nS。 ◆工作温度范畴:摄氏-40∼85 度。 ◆100%回溯兼容于 SRAM 接口。 ◆支持分页(Page)模式。 |
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主推这款,我们有现货,交期稳定,价格优势,
深圳市英尚微电子有限公司 电话:0755-66658299 QQ:3161422826 品牌:韩国JSC 型号:EM7164SU16 特性: ◆记忆组织:1M x16。 ◆工作电压范畴:2.7V∼3.3V。 ◆分立的 I/O 供电(VccQ)与核心供电(Vcc)。 ◆三态输出(高、低、浮接)。 ◆透过#UB 接脚、#LB 接脚可控制字节(Byte)的读写。 ◆运用#ZZ 接脚可支持直接深度低功耗(Direct Power Down)控制。 ◆自动化的 TCSR 可节省用电。 ◆芯片封装方式:48 个接脚,FPBGA 封装,6.0x7.0 尺寸。 |
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这 PSRAM 少引脚的,用途貌似较受限吧?
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CYK512K16SCCA试试看吧
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