PIC单片机内部EEPROM的操作程序

//--------------------------------------------------------
//FLASH字节写程序
//功能: 写一个字节到内部FLASH
//入口: EEADRH,EEADR =地址
// EEDATH,EEDATA =数据
//--------------------------------------------------------
void write_flash ( void )
{
EEPGD = 1 ;      //设置访问目标为FLASH
WREN = 1 ;     //允许进行写操作
GIE = 0 ;        //禁止中断
EECON2 = 0x55 ;
EECON2 = 0xAA ;
WR = 1 ;         //启动一次写操作
asm ("nop") ;
asm ("nop") ;
GIE = 1 ;        //使能中断
WREN = 0 ;     //关闭写操作
}

//--------------------------------------------------------
//FLASH字节读程序
//功能: 从内部FLASH读一个字节
//入口: EEADRH,EEADR =地址
//出口: EEDATH,EEDATA =数据
//--------------------------------------------------------
void read_flash( void )
{
EEPGD = 1 ;      //设置访问目标为FLASH
RD = 1 ;        //启动一次读操作
asm ("nop") ;
asm ("nop") ;

}

2.方法二：

void WriteEE(unsigned char addr,unsigned char data)        //写EEPROM
    {
     do{;}
     while(WR==1);                        //上一次写操作是否完成
     EEADR=addr;                            //EEPROM地址
     EEDATA=data;                        //准备写入EEPROM的数据
     EEPGD=0;                            //指向EEPROM数据储存器
     WREN=1;                                //使能写操作
     EECON2=0x55;                        //设置通用参数
     EECON2=0xAA;                        //设置通用参数
     WR=1;                                //开始写
     do{;}
     while(WR==1);                        //等待写操作完成
     WREN=0;                                //禁止写操作
    }
//
unsigned char ReadEE(unsigned char addr)                //读EEPROM
    {
     unsigned char num;
     do{;}
     while(RD==1);                        //上一次读操作是否完成
     EEADR=addr;                            //EEPROM地址为00H
     EEPGD=0;                            //指向EEPROM数据储存器
     RD=1;                                //开始读
     do{;}
     while(RD==1);                        //等待读操作完成
     num=EEDATA;                            //读出
     return(num);                        //返回读出的数
    }

说明：两个程序基本步骤是一致的。个中的差别是：

1、一程序中更严密，其中增加了对WR和RD标志位的判别，缺点是实时性较差。

2、而二程序中没有这个对WR和RD标志位的判别。那是因二将该判别的动作放在了上级程序中。也就是说，二在调用write_eeprom 函数之前，会先行判断WR。确信上次写操作已经结束后，才去调用新一次的写操作。这样做的目的是为了系统的实时性。

3.方法三：

PICC系统自带“ PIC.H”文件中，已经内嵌了这两个函数。！

以下是“ PIC.H”文件中的内容：

/***********************************************************************/
/****** EEPROM memory read/write macros and function definitions *******/
/***********************************************************************/
/* NOTE WELL:

   The macro EEPROM_READ() is NOT safe to use immediately after any
    write to EEPROM, as it does NOT wait for WR to clear.  This is by
    design, to allow minimal code size if a sequence of reads is
    desired.  To guarantee uncorrupted writes, use the function
    eeprom_read() or insert
while(WR)continue;
    before calling EEPROM_READ().
*/
#if EEPROM_SIZE > 0
#ifdef __FLASHTYPE
// macro versions of EEPROM write and read
#define EEPROM_WRITE(addr, value)
do{
while(WR)continue;EEADR=(addr);EEDATA=(value);
EECON1&=0x7F;CARRY=0;if(GIE)CARRY=1;GIE=0;
WREN=1;EECON2=0x55;EECON2=0xAA;WR=1;WREN=0;
if(CARRY)GIE=1;
}while(0)
#define EEPROM_READ(addr) ((EEADR=(addr)),(EECON1&=0x7F),(RD=1),EEDATA)
#else // else doesn't write flash
#define EEPROM_WRITE(addr, value)
do{
while(WR)continue;EEADR=(addr);EEDATA=(value);
CARRY=0;if(GIE)CARRY=1;GIE=0;
WREN=1;EECON2=0x55;EECON2=0xAA;WR=1;WREN=0;
if(CARRY)GIE=1;
}while(0)
#define EEPROM_READ(addr) ((EEADR=(addr)),(RD=1),EEDATA)
#endif

/* library function versions */
extern void eeprom_write(unsigned char addr, unsigned char value);
extern unsigned char eeprom_read(unsigned char addr);
#endif // end EEPROM routines