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大家好
在我的项目中我用了OMAP-L138这个芯片，但是在调试DDR2的时候出了问题，就是写进去的数据和读出来的不一样。 我尝试了每写进一个数据之后就马上将它读出来，这样的话读出来的数据是没有问题的，但是当我写进去一堆数据之后，然后再读的话，就会发现读出来的数据有问题，跟原先写进去的不一样，很乱，也就是说，数据写进去后过一段时间读出来的话，有错误，也就是说DDR2内的数据没有保持住。请问大家这是什么原因。 我在OMAP-L138的DDR外设寄存器中的配置如下： SDCR 0x00134A32 SDRCR 0x0000049 SDtiME1 0x26922A09 SDTIMR2 0x3C14C722 DRPHYC1R 0x000000C6 我用的DDR2是MICON的 MT47H128M8CF-3， 该芯片为8位，我用两片组成16位。我配置的频率是150MHZ。片选为CS3。 所以还想问一下大家，有没有遇到过跟我相同的问题，是我的寄存器配置有问题吗？我看网上有人说是读写与刷新冲突处理没有做好，但具体应该怎么做，还请大家指教。 
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9个回答
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上面有一点说错了，CS3是NANDFLASH的片选，DDR2芯片的CSn信号是接到OMAP-L138的mDDR/DDR2模块上的CSn信号上的，这点没错。
另外，我的其他配置如下： 1，我使用两片8位的DDR2组成16位的，参考OMAP-L138 datasheet 的接法(page129)。 2，我用OMAP-L138的开发板试了下，由于开发板上的是一片mDDR，我依据mDDR的型号改了一下上面几个寄存器的值，然后发现读写正常。说明我的基本配置应该没有问题（即PLL，PSC等模块） 3，我现在尝试写20个地址的数据，第一个地址写0x0000，第二个写0x0001，以此类推，写进去之后我再读出来的时候就变成了0x00004000，0x00004001，0x00004002.。。。。。，也就是说多了个4，如果我写的是32位的数或者8位的数，那么这个多出的4就会出现在别的地方，例如写32位的0,1,2,到DDR2，读出来的话变成了0x40004000，0x40004001，0x40004002.。。。。。，请问这是什么原因？ |
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loujie39 发表于 2018-6-21 13:17 从这点看，像是数据线D14短路了。 直接在CCS memory window里查看内存，刷新显示看内容是否会改变。如果改变则说明DDR配置不对。如果不改变，还是固定多一个4，则说明D14真的被拉死了。量一下看与哪里短路了。 http://processors.wiki.ti.com/index.php/Main_Page Think Over Before Asking. http://www.catb.org/~esr/faqs/smart-questions.html#goal |
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loujie39 发表于 2018-6-21 13:17 从这点看，像是数据线D14短路了。 直接在CCS memory window里查看内存，刷新显示看内容是否会改变。如果改变则说明DDR配置不对。如果不改变，还是固定多一个4，则说明D14真的被拉死了。量一下看与哪里短路了。 http://processors.wiki.ti.com/index.php/Main_Page Think Over Before Asking. http://www.catb.org/~esr/faqs/smart-questions.html#goal |
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lifei639156 发表于 2018-6-21 13:47 谢谢，但是如果是D14短路了的话，我一写入数据就读出来就应该也是错的，但事实是如果我每写一个数据就读一下，那样的话是没问题的，就是写一堆数据之后再读的话，就会出错。而且出错也不一定就是前面加了个4的情况，还有前面都是F的情况，所以我认为应该跟某根地址线没关系。 现在我的CCS查看内存方面好像有点问题，全部都是显示的问号，还没解决，所以不能看内存的变化。但如果是DDR得配置不对，那应该是哪些方面的配置为题呢？是我提到的上面那5个寄存器吗？还是其它的配置？ 非常期待您的答复。 |
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loujie39 发表于 2018-6-21 13:58 目前我的情况有了新的进展，在经过排查后问题逐渐明晰了： 1， 目前的情况是我在写20个数据后，在写完后就开始读的话，读出来的第一个数会有错，但后续的都正常。如果我在写进20个数据后，在延迟一会儿，哪怕延迟很小的一段时间吗，读出来的数据都正确。我认为应该是读写转换时间太短了的缘故，我试着改了寄存器SDTIMR1中的T_WTR位，但没效果，所以想问一下，还有那些其他位是影响读写转换时间这一项的？我的寄存器设置如上面所说，频率依旧是150Mhz。 2， 我目前是用的两片8位DDR2来组成16位的DDR2，在寄存器的哪些位还需要专门设置这一点？ 3， DDR2芯片有一些寄存器在上电的时候需要设置，就是一些模式寄存器什么的，那些寄存器是我在程序中专门对其进行设置还是我设置了上面那5个寄存器之后就可以了，程序会自动根据我的这5个寄存器的设置对DDR2芯片内部的寄存器进行设置？ 非常期待您的答复，谢谢！ |
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loujie39 发表于 2018-6-21 14:15 1. 用附件的工具重新核算一下DDR的参数。 2. 将DDR_CLK降频试试。 http://processors.wiki.ti.com/index.php/Main_Page Think Over Before Asking. http://www.catb.org/~esr/faqs/smart-questions.html#goal |
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lifei639156 发表于 2018-6-21 14:27 谢谢！ 1，我上面的5个寄存器配置就是用这个工具配的， 2，考虑到在1.2V电压下DDR2/mDDR模块的时钟在125~156Mhz内，我降频到133M，但没用，结果还是一样 3，你能回答我上面提出的第三个问题吗？ 非常感谢！ |
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loujie39 发表于 2018-6-21 14:41 3， DDR2芯片有一些寄存器在上电的时候需要设置，就是一些模式寄存器什么的，那些寄存器是我在程序中专门对其进行设置还是我设置了上面那5个寄存器之后就可以了，程序会自动根据我的这5个寄存器的设置对DDR2芯片内部的寄存器进行设置？ [Answer] 是的。 现在我的CCS查看内存方面好像有点问题，全部都是显示的问号，还没解决，所以不能看内存的变化。但如果是DDR得配置不对，那应该是哪些方面的配置为题呢？是我提到的上面那5个寄存器吗？还是其它的配置？ [Answer] 在CCS菜单里把memory map的勾选去掉。 http://processors.wiki.ti.com/index.php/Main_Page Think Over Before Asking. http://www.catb.org/~esr/faqs/smart-questions.html#goal |
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