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RT，24V驱动电机，D4是想用来防反接，但基本上测试几次都是击穿；两个MOS也遇到短路的情况。D4换成S3GB可以运行几次，不过发热也严重，之后也挂了。
知识面太窄，不知该从何分析，请大家指点一二！！！谢谢 
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谢谢版主大大的回复，这个推挽也是参考电路搭建的，死区怎么设置？还有mos管电阻选取之类的，具体一点的计算公式有没有啊，看了一些资料都是一个范围什么的，没找到计算方式。 |
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C1 C2两个电容会导致MOS关断延迟，造成死区加大，估计烧的可能性很大
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