Microwire 总线的存取操作

如前所述，Microwire总线的存取操作是以时钟的上升沿为基准进行的。总线的大概工作情况如图1 所示，时钟上升时，如果S输入为高电平，则器件处于选择状态。D输人一旦成为高电平，则识别为起始位，开始进行工作。在起始位之后的 2 位为操作代码，然后是地址位。地址位的位数不固定，根据存储器的容量而发生变化。

  若干个指令只能由这 2 位来指定，对于不能通过这 2 位完全表示的部分，将挪用紧随其后的地址位的一部分来表示指令。在这些指令中，虽然地址字段的值实际上只能使用 2 位，但需要传输与READ／WRITE指令相同的位数。
  M93Cx6 具有 7 种指令，例如M93C06 和M93C46的指令格式如表 2 所示。作为实例，M93C06 的读操作如图 2 所示，写操作如图 3 所示。另外EWEN指令的发布实例如图 4 所示。

▲ READ
  数据读指令是在操作代码“10”之后通过指定地址来进行的。一旦地址位发送完毕，存储器于时钟上升沿同步从Q按顺序输出数据。由于开始之后将输出 1 位哑元“0”，所以需要丢弃该位。地址／数据起始于MSB这一点是与ElA－232 等串行传输不同的地方。
  EEPROM内部存在地址寄存器，如果读出 1 字节，则自动增加地址计数。读取指令之后，S保持高电平，如果继续给予时钟，则自动出现下一地址的数据，但此时不插人哑元“0”数据位。
▲ WRITE
  写操作也是在操作代码“10”之后指定地址，进而利用 D 发送写人数据。－旦这些信息传送完毕，必将在下次时钟的上升沿将 S（片选）设置为低电平，暂时中断选择。器件如果知道 S 为低电平，则开始内部的写人操作；如果 S 为高电平，则指令被忽略。
  与闪速存储器等相同，即使接受指令和数据，内部的写入操作也不是立即就能完成的。这期间，如果 S 设置为高电平．则选择器件；如果内部尚处于写人操作，则 Q 输出为低电平；如果写人操作已完成，则 Q 输出为高电平。
  闪速存储器在编程操作中进行的操作只是在位由“1”变为“0”的方向上，由“0”变为“1”的方向上只能进行擦除操作。而 EEPROM 如果发出 WRITE 指令，则内部可自动进行擦除操作。因此，只要发出 WRITE 指令就可以进行替换。
▲ EWEN（ERASE／WRITE Enable，擦除／写使自包）
  当操作代码“00”紧接着地址位前 2 位为“11”时，就是EWEN指令。M93Cx6 已经具有禁止写入及擦除操作的功能，它是可以防止不经意的替换操作的。由于M93Cx6 在提供电源后写人及擦除操作是被禁止的，因此在希望进行替换操作时，需要发出该指令，允许进行替换操作。
▲ EWDS（ERASE／WRITE Disable，擦除／写禁止）
  当操作代码“00”紧接着地址位的前两位为“00”时，就是 EWDS 指令，发出该指令后，存储器就不能够接受替换及擦除指令。为了防止不经意的存储器的替换和擦除操作，最好在发出 WRITE 指令后再发出该指令。
▲ ERASE
  当操作代码为“11”时，由随后地址位所指定的地址的内容将被擦除。虽然与通过WRITE写入所有“1”的数据的结果相同，但擦除指令由于不需要传输数据的时间，因而较简单。在后面将要叙述的I2 C总线对应存储器的情况下，没有擦除指令，通过写人FFh就能达到擦除的功能。
▲ ERAL（Erase All Memory）
  当操作代码“00”紧接着地址位的前两位为“10”时，就是ERAL指令。它将擦除整个芯片的内容。与闪速存储器的ChipErase指令相同。
▲ WRAL（Write All Memory with same Data）
  利用指定的数据写满整个芯片，ERAL 指令可以指定数据的。