闪速储存器TC58V64的操作指令

  TC58V64的操作指令（通过指令输人所给予的编码）如表所示。只有自动块擦除是 2 字节指令，其他都是 1 字节指令。

  下面我们就针对这些指令与存取操作进行说明。
▲数据读操作
  TC58V64的读操作如图 1 所示。随着指令，利用 3 个字节指定读出开始地址，开始进行数据读操作，地址及指令在WE信号的上升沿被锁存。

  读操作时地址的指定方法如表 1 所示。最先给予的数据称为列地址，后面的两个周期中所给予的数据称为页地址。TC58V64 的存储器具有1024个块，由于各个块又分割成 16 个页，所以A22～A13 为块号（块地址），A12～A19 为块内的页号（块内的NAND地址）。

  读指令如果是 00h，则 A8＝“0”，如果读指令为 01h，则 A8＝“1”，所以没有指定 A8 的位。
A22～A13：块地址
A12～A9：块内 NAND 地址
A7～A0：列地址
  这里有意思的是 A8 没有指定，而 1 页的大小为 528 字节，大于 512。这样 A9 就成为了页地址。在此，将一页（528 字节）分成 256＋256＋16 这样的结构（假设称为段）可能更容易理解。根据从一页的哪个段开始读，指令将被分离，读指令具有 3 个种类（00h，01h，50h）正是因为这个原因。而从各个段中的什么部位开始读是由列地址过渡的。当然，在最后的 16 字节的地方，列地址只能取得0～15 的值。
  在指令代码为 00h，01h 的情况下，将从读取开始地址到一页的最后地址传输数据，一旦到达最终的地址，则输出下一页的起始数据。仅当指令代码为 50h[读指令(3)]的时候，如果到达页的最后部分，则由下一页的第 512 个字节（第 3 部分）开始输出，而不返回到页的起始。这些操作模式如图 2、图 3、图 4 所示。

  如图 5 所示，当进行读操作时，在指定地址后到读取最初数据之间以及到达页的结尾部位后。需要一定的时间返回到下一页的起始部分（顺序读（3）的情况下为第 3 部分的起始）。这期间Busy信号有效，需要让来自主机的访问等待。这段时间可以认为是内部一页的数据（528 字节）传输到页缓冲器上的时间。

▲状态读
  状态读的操作如图 1 所示，如果跟着指令 70h进行读取操作，则读出存储器的状态。存储器的状态数据如图 2 所示。

▲自动页编程操作
  自动页编程操作按照如下的程序进行：
①发出数据输人指令（80h）；
②地址／数据输入；
③发出自动编程指令（10h）。
  图对上述流程进行了图示。在器件的内部工作中，在②中所给予的数据不是直接写人存储器中的，而是先暂时存人页缓冲器中。通过③开始送出写入指令，然后转发到②所提供的页地址处。

  此时，在芯片内部进行写人验证。如果正常，则恢复R／B设置为Ready状态（为高电平）后正常结束。如果由于某些异常导致写人验证未正常进行的，则在内部自动进行重试，如果重试达到所规定的次数，则将R／B设置为Ready状态的同时结束异常。
▲自动块擦除
  自动块擦除是将指定的块的内容一次性设为 FFh。正如先前所描述的那样，虽然写人操作是以页（528 字节）为单位进行的，但擦除只能以块为单位进行。由于块擦除所提供的地址是块地址，所以占有 2 个字节。
  自动块擦除的工作流程如图所示。与自动页编程的操作相同，在内部也进行自动重试，如果重试规定次数以后仍然存在异常，则将 R／B 设置为 Ready 状态的同时结束异常。

▲复位操作
  复位操作通过指令代码FFh的写人来进行。一旦发出该指令，内部用于编程／擦除的升压电路将断开，编程／擦除电压放电直至电压为 0V。在放电这段时间内，R／B信号维持为Busy状态（低电平）。利用复位指令，地址寄存器的各个位全部为“0”，数据寄存器中的位都为“1”。
▲ID 读操作
  ID代码是为了主机自动识别与总线连接的器件的制造商名称／器件型号而设置的。ID读指令用于读取该ID代码。图 1 图示了ID读操作的流程。图 2 图示了发送ID读指令的操作。

  在读取ID时，发送ID读指令（90h）之后，写人 00h作为地址。由于 90h是指令，所以虽然将CLE设为有效（高电平），但由于紧跟着的 00h是地址值，所以CLE无效（低电平），而ALE有效（高电平）。完成这样的流程后，通过下面 2 次的读取，可以读出制造商代码（TC58V64为 98h）和器件代码（TC58V64 为E6h）。