UV－EPROM 的编程方法

  之后，高速的写人方式出现。这种写入方式是在赋予 1ms 左右的较短的写脉冲的同时，确认数据是否被写入，然后在确认已写人的时刻向下一个地址移动。这种写人方式出现后，写入时间被一下缩短到十分之一的程度。接着，在 1M 位的产品出现之前，还出现了更快的页写入方式等，将脉冲缩短到了 0.2ms 的程度，写脉冲宽度一直减小到使用至今的 50μs，是最初 50ms 脉冲的千分之一。据此，与昔日的 64K 位的 EPROM 相比，目前使用的 4M 位的 EPROM 写人时间实在是缩短了许多。EPROM 写人方式与写人时间粗略的推测如表所示。

2.AM27C010 的编程方法
  我们列举的Am27C010是AMD公司的UV EPROM。AMD公司UV－EPROM的高速写入方式称为“FlashriteAlgorithm”。这种方式是在VPP端加上 12.75、Vcc端加上 6.75V的电压，在赋予 100μs脉冲状写入信号的同时，进行写入操作。
  图 1 表示了写人算法。在如图所示的流程图中，在验证之前进行了 25 次的判断，这是 AMD 公司正式资料的原型。一般都认为判断是在编程验证之后进行的。在此的资料，记录了 AMD 正式的操作流程。
  具体的操作波形如图 2 所示，各种时序规定如表所示。由于电源电压是用于编程的，所以除了出现VCC及VPP电压建立时间以外，波形自身与通常SRAM等的读／写操作等没有变化。但是观察表的单位就可以明白，地址建立等所必要的时间相当于μS数量级等，所以必须注意建立以及保持时间。

▲ 编程电压的添加
  为 EPROM 提供编程电压。请注意：不但只给 VPP 提供 12．75V 的电压，还必须为 VCC 提供高于平时操作时电压的 6．25V 电压。在普通的写入装置中一般都搭载稳压器，但也需要考虑在写入过程中对于负载变化的响应。
▲ 写入开始地址／数据配置
  进行写人操作的地址和写人的数据需要分别配置给各地址总线和数据总线。UV-EPROM 可以针对任意地址进行写人操作。地址、数据的信号线电平为普通的 TTL 电平。
▲ 添加写脉冲
  将 PGM 端设置为只有 100μs 的低电平。据此，向写人了“0”的 EPROM 内部存储器单元的浮置栅中注人电荷。
▲ 编程验证
  如果为/PGM 端提供写脉冲，则将在浮置栅处注入某种电荷。但并不能确认已经存储了使存储器单元确实只为“0”状态的足够的电荷。为此需要进行编程验证。编程验证中其他端口的状态以及电压保持不变，通过使/OE 有效来进行验证。如果此时读出的数据一致，则表示写人操作完成，如果需要向下一个地址写入，则返回到步骤 2。如果读出的数据不一致，则表明在先前的脉冲中电荷并没有被完全注人，因此返回步骤 3。但对同一地址的脉冲添加最多只能进行 25 次，如果提供了 25 次脉冲仍没有顺利写入，则表明该器件存在异常，以出错结束操作。
▲ 读验证
  在希望写入的范围中所有数据被正常写入后，将进行普通操作状态下的读操作，确认数据能否被正常读出。此时，Vcc 及 VPP 设置为 5.25V（普通操作的上限电压）。如果写入的所有数据都能够被正常读出，则结束操作；如果数据不一致，则作为器件异常以出错结束操作。
●1.6.3 UV－EPROM 擦除器的制作
  UV-EPROM的擦除操作是通过紫外线进行的。市场上虽然也有擦除器销售，但利用市场上销售的紫外线灯（杀菌灯）可以自己制作擦除器。制作非常简单，笔者曾经尝试着制作了一个。
3. EPROM擦除器的电路
  图是笔者尝试制作时使用的EPROM擦除器电路，这比真正的电路图简明易懂，是以与实际配线图近似的形式描绘的。紫外线灯也与荧光灯一样具有各种不同的大小和瓦数。如果是个人使用的擦除器，则选择较小的紫外线灯即可。我选择了 4W的紫外线灯。另外，镇流器、启辉器的选择也要与紫外线灯相匹配。

  外壳使用铝盒等现成的盒子即可，只是要注意外壳在擦除过程中能保证紫外线不会直接射人眼中。正如图中所示，紫外线灯的设置与普通的荧光灯相同。最近，市场上销售较多的是利用转换器缩短从打开开关到点灯这段时间的元器件。但EPROM擦除器不需要那样的功能，所以只利用非常简单的镇流器及启辉器制作即可。
  如果为了缩短擦除时间，则应该在开关部位添加定时器等。但业余的可以利用厨房的定时器等，经过一定时间后手工切断开关，这样就可以非常简单地完成制作了。