▲ V OH/ V OL
这是对输出电压的规定。EPROM数据输出缓冲器的输出电压如果是高电平,则在接近电源电压(VCC)之前无条件输出;如果是低电平,则输出电压为零则是其理想输出。但实际上,器件内部由于存在着某种电阻,输出端电流越大,高电平时的电压输出越低;相反,低电平时的电压输出越高。测定条件中所表示的电流通过正负号表示电流的方向:负号表示电流由EPROM流向外部的方向,正号表示外部流入EPROM的方向。
▲ V IH /V IL
这是对输人端的电压规定。规定输人多少伏以上的电压必须判断为高电平,多少伏以下的电压必须判断为低电平。当输入电压值为V IL 和V IH 之间的电压时,由于各种元器件所存在的误差,因而不能够判断为何种电平。Am27C010 的V IH 和V IL 是俗称“TTL电平”的一般值,V IH 为2.0V以上的值,V IL 为 0.8V以下的值。
▲ I LI /I LO
I LI 是对输人负载电流的规定。由于普通数字IC的基本操作是采用电压的“H(高电平)”、“L(低电平)”的二进制方法,所以理想的情况是如果信号的状态稳定,电流将为零。但现实情况并不是这样的,而是有某种电流流向输入端,该电流就是I LI ,如图(a)所示。另一方面,I LO 是输出漏电流。输出端为高阻抗,也就是输出开关处于断开状态,理想的情况是无论输出与GND还是与V CC 连接都完全没有电流。然而,因为开关元器件的阻抗不是无限大,所以实际上还是有某种电流存在。这就是要规定I LO 的原因,如图(b)所示。
即使Am27C010 的I LI 和I LO 值在最大的时候,也不过是 1μA和 5μA这样小的数值,所以,只要不是大量的器件并联,基本上是不会出现问题的。
▲ I CC1
这是一般操作时的损耗电流。因为数字IC特别是CMOS结构的器件根据操作频率,电流会有较大的变化,所以在此测定条件中标明了操作频率。另外,当输出缓冲器连接有负荷时,电流的流向为V CC 端→I/O缓冲器→负载,所以感觉上损耗电流变大。为了避免这种影响,在I CC1 的测定条件中,将CE置于低电平,使器件处于使能状态;而将OE置为高电平,使输出缓冲器处于禁止状态。在实际的使用条件下,曲于I CC1 值中加上了由缓冲器流向负载的电流,因而需要注意。
另外,由于对于低损耗电流的需求比较多,因此在很多的存储器IC中进行适应I CC1 值的分类。Am27C010 也不例外,最大损耗电流为 30mA的与最大损耗电流为 60mA的两种元器件被整合。与其说是制作了不同的产品,不如说是同一产品根据实际测定值或者根据生产计划而改变了用途。
▲ I CC2 ,I CC3
这是对待机电流的规定。CE的电压如果超过V IH ,则EPROM变为禁止,处于损耗电流较小的待机状态。但GE电压如果增加到V CC ±0.3V左右,则损耗电流将被控制得更小。Am27C010 通常待机状态(TTL待机)时的电流为 1mA。如果CE的电压处于更高的电压状态(CMOS待机状态),则此时的待机电流为 100μA,降低了十分之一。
▲ I PP1
这是编程时流向VPP端的电流值。V PP 电压虽然较高,但由于编程时存在存储于浮置栅的电流,因此与 100μA相比,该电流值相当小。