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1.MB芯片定义与特点 定义:MetalBonding(金属粘着)芯片;该芯片属于UEC的专利产品。特点: 1)采用高散热系数的材料---Si作为衬底,散热容易。 Thermal Conductivity GaAs:46W/m-KGaP:77W/m-K Si:125~150W/m-K Cupper:300~400W/m-k SiC:490W/m-K (2)通过金属层来接合(waferbonding)磊晶层和衬底,同时反射光子,避免衬底的吸收。 (3)导电的Si衬底取代GaAs衬底,具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4倍),更适应于高驱动电流领域。 (4)底部金属反射层,有利于光度的提升及散热。 (5)尺寸可加大,应用于Highpower领域,eg:42milMB。 2.GB芯片定义和特点 定义:GlueBonding(粘着结合)芯片;该芯片属于UEC的专利产品。特点: (1)透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底,其出光功率是传统AS(Absorbable structure)芯片的2倍以上,蓝宝石衬底类似TS芯片的GaP衬底。 (2)芯片四面发光,具有出色的Pattern图。 (3)亮度方面,其整体亮度已超过TS芯片的水平(8.6mil)。 (4)双电极结构,其耐高电流方面要稍差于TS单电极芯片。 3.TS芯片定义和特点 定义:transparentstructure(透明衬底)芯片,该芯片属于HP的专利产品。特点: (1)芯片工艺制作复杂,远高于ASLED。 (2)信赖性卓越。 (3)透明的GaP衬底,不吸收光,亮度高。 (4)应用广泛。 |
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这是汽车360全景控制器上的主板,请问圆圈中的原件是什么,起什么作用?
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